YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> 실리콘 트랜지스터> S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완
S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완
S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완
S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완
S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완
S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완
S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완
S9013 TO-92 트랜지스터 NPN S9012 보완

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$9.5100-999 Others

$8.1≥1000Others

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-S9013

상표yzpst

원산지중국

Collector-Base Voltage40V

Collector-Emitter Voltage25V

Emitter-Base Voltage5V

Collector Current -Continuous0.5A

Collector Power Dissipation625mW

Thermal Resist Ance F Rom Junction Fo Am200℃ / W

TJ,Tstg-55 ~+150℃

포장 및 배송
판매 단위 : KPCS
다운로드 :
트랜지스터 NPN S9013 TO92FE
제품 설명
TO-92 플라스틱 캡슐화 트랜지스터
YZPST-S9013 트랜지스터 (NPN)
특징
S9012에 보완

우수한 HFE 선형성

YZPST-S9013 TO92

주문 정보

PartNumber

Package

PackingMethod

PackQuantity

S9013

TO-92

Bulk

1000pcs/Bag

S9013-tA

TO-92

Tape

2000pcs/Box


최대 등급 (달리 명시되지 않는 한 ta = 25 ℃)

SymboI

Parameter

VaIue

Unit

VCB0

Collector-Base Voltage

40

V

VCE0

Collector-Emitter Voltage

25

V

VEB0

Emitter-Base Voltage

5

V

1C

Collector Current -Continuous

0.5

A

PD

Collector Power Dissipation

625

mW

R9 JA

Thermal Resist ance f rom Junction fo Ambient

200

/ W

TJ,Tstg

JperTti0ncunati0nTnCRt0rTgeSemperTtureOTnge

-55 ~+150

달리 지정되지 않는 한 t a = 25

Parameter

Symbol

Test     conditions

Min

Typ

Max

Unit

CoIIector base

V(BR)CBO

IC= 100μA , IE=0

40

 

 

V

breakdown

voItage

CoIIector emitter

V(BR)CEO

IC= 1mA ,  IB=0

25

 

 

V

breakdown

voItage

Emitter base

V(BR)EBO

IE= 100μA , IC=0

5

 

 

V

breakdown

voItage

CoIIector cut off

ICBO

VCB= 40V ,  IE=0

 

 

0.1

uA

current

CoIIector cut off

ICEO

VCE=20V ,  IE=0

 

 

0.1

uA

current

Emitter

IEBO

VEB= 5V, IC=0

 

 

0.1

uA

cut off

current

 

hFE(1)

VCE=1V, IC=50mA

64

 

400

 

DC

current

gain

hFE(2)

VCE=1V, IC= 500mA

40

 

 

 

CoIIector emitter

VCE(sat)

IC= 500mA, IB= 50mA

 

 

0.6

V

saturation

voItage

Base emitter

VBE(sat)

IC= 500mA, IB= 50mA

 

 

1.2

V

voItage

 

 

 

 

 

 

 

Transition

fT

VCE=6V,IC=20mA,f=30MHz

150

MHz

frequency

 

 

 


클래스 1 F 1 Cat 10 n 0 f H FE (1)

Rank

D

E

F

G

H

I

J

Range

64-91

78- 112

96- 135

112- 166

144-202

190-300

300-400

개요 치수

Outline Dimensions

SymboI

Dimensions

Dimensions

 1n

 1n

MiIIimeters

1nches

Min

Max

Min

Max

A

3.3

3.7

0.13

0.146

A1

1.1

1.4

0.043

0.055

b

0.38

0.55

0.015

0.022

c

0.36

0.51

0.014

0.02

D

4.3

4.7

0.169

0.185

D1

3.43

 

0.135

 

E

4.3

4.7

0.169

0.185

e

1.270 TYP

0.050 TYP

1

2.44

2.64

0.096

0.104

L

14.1

14.5

0.555

0.571

o

 

1.6

 

0.063

h

0

0.38

0

0.015



苏ICP备05018286号-1
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