C712L 사이리스터 전력 컨트롤러 KT55CT

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모형: YZPST-C712L

상표: YZPST

私域 C712L 截取视频 15 秒 1-2.1Mb.

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인버터 및 초퍼 애플리케이션을위한 고성능 사이리스터

YZPST-C712L

풍모:

. 모든 확산 구조

. 중앙 증폭 게이트 구성

. 최대 2100V의 차단 기능

. 최대 끄기 시간 보장

. 높은 dV / dt 기능

. 압력 조립 장치

차단-꺼짐 상태

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
2000	2000	2100

V _RRM = 반복적 인 피크 역 전압

V _DRM = 반복적 인 피크 오프 상태 전압

V _RSM = 비 반복 피크 역 전압 (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

90 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

800 V/msec

노트:

모든 등급은 Tj = 25 ^o C에 대해 지정됩니다

달리 언급했다.

(1) 모든 정격 전압은 적용

50Hz / 60zHz 정현파

온도 범위 -40 ~ + 125 ^O C.

(2) 10msec 최대 펄스 폭

(3) TJ 최대 값 125 = ^O C.

(4) 선형 및 지수의 최소값

웨이브 쉐이프를 80 % 정격 V _DRM . 문 열림

C. ^O TJ = 125

(5) 비 반복 가치.

(6) di / dt의 가치는

EIA / NIMA 표준 RS-397, 섹션

5-2-2-6. 정의 된 값은 다음과 같습니다.

스 너버 회로에서 얻은 것과

0.2mF 커패시터 및 20Ω으로 구성

아래의 사이리스터와 병렬 저항

테스트.

실시 중-상태

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		1185		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=80^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		1700		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 18500		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.66x10⁶		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		-		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.45		V	I_TM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; T_j =1 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		100		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 120 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		20		V

동적

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		-	0.7	ms	I_TM = 50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		40	-	ms	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*		mC	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V

HERMAL 및 기계적 특성 및 등급

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+125		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		0.023 -		^oC/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		0.0075 -		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	22.2	26.6		kN
Weight	W			-	g	About