YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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실리콘 PNP 달링턴 전원 트랜지스터
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실리콘 PNP 달링턴 전원 트랜지스터

실리콘 PNP 달링턴 전원 트랜지스터

$0.72100-499 Piece/Pieces

$0.55≥500Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Air
포트:Shanghai
제품 속성

모형YZPST-FW26025A

상표yzpst

TypeIntrinsic Semiconductor

ApplicationRadio

Batch Number2010+

VCBO-100V

VCEO-100V

VEBO-5V

IC-20A

Icm-40A

IB-0.5A

PC160W

TJ200℃

Tstg-65~200℃

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 전자성 포장 2. 카톤 박스 3. 플라스틱 보호 포장
다운로드 :
FW26025A 私 域 .MP4
FW26025A 私域 截取 视频 1-15 秒 2.21MB.
제품 설명

실리콘 PNP 달링턴 전원 트랜지스터

YZPST-FW26025A

실리콘 PNP 달링턴 전원 트랜지스터

설명

· 높은 DC 전류 이득-

: hfe = 5000 (min)@ ic = -2a

· 수집기-이미 터 지속 전압-

: VCEO (SUS) = -100V (Min)

· 강력한 장치 성능 및 안정적인 작동을위한 최소 LOT 변형.

응용 프로그램

· 선형 및 스위치 산업 장비를 위해 설계되었습니다

절대 최대 등급 (TA = 25 ℃)

SYMBOL

 

PARAMETER

 

VALUE

 

UNIT

 

VCBO

 

Collector-Base Voltage

 

-100

 

V

 

VCEO

 

Collector-Emitter Voltage

 

-100

 

V

 

VEBO

 

Emitter-Base Voltage

 

-5

 

V

 

IC

 

Collector Current-Continuous

 

-20

 

A

 

ICM

 

Collector Current-Peak

 

-40

 

A

 

IB

 

Base Current- Continuous

 

-0.5

 

A

 

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

 

160

 

W

 

Tj

 

Junction Temperature

 

200

 

Tstg

 

Storage Temperature Range

 

-65~200

열 특성

SYMBOL

 

PARAMETER

 

MAX

 

UNIT

 

Rth j-c

 

Thermal Resistance, Junction to Case

 

1.09

/W

전기적 특성

달리 명시되지 않는 한 TC = 25 ℃

 

SYMBOL

 

PARAMETER

 

CONDITIONS

 

MIN

 

TYP.

 

MAX

 

UNIT

 

VCEO(SUS)*

 

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

IC= -100mA, IB= 0

 

-100

 

 

 

V

 

VCE(sat)-1*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -10A ,IB= -40mA

 

 

 

-2.0

 

V

 

VCE(sat)-2*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-3.0

 

V

 

VBE(sat)*

 

Base-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-4

 

V

 

V BE(on)*

 

Base-Emitter On Voltage

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

 

 

-2.8

 

V

 

ICEO

 

Collector Cutoff current

 

VCE= -50V, IB= 0

 

 

 

-1

 

mA

 

ICEV

 

Collector Cutoff current(VBE=-1.5V)

VCE= -100V, IB= 0

 

 

-0.5

 

mA

VCE= -100V, IB= 0,Tc=150

-5

 

IEBO

 

Emitter Cutoff Current

 

VEB= -5V; IC= 0

 

 

 

-2

 

mA

 

hFE-1*

 

DC Current Gain

 

IC= -2A ; VCE= -3V

 

5000

 

 

 

 

hFE-2*

 

DC Current Gain

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

750

 

 

18000

 

 

hFE-3*

 

DC Current Gain

 

IC= -30A ; VCE= -3V

 

200

 

 


*: 펄스 테스트 : 펄스 폭 = 300US, 듀티 사이클 ≤2%

Silicon PNP Darlington Power Transistor




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