YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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SMC 시리즈 1500W 저 정전 과도 트랜지스터
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제품 속성

모형YZPST-SMCJ(G)LCE7.5A-TVS

상표YZPST

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 정전기 방지 포장 2. 판지 상자 3. 플라스틱 보호 포장
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제품 설명


SMC 시리즈 1500W 저용량 과도

전압 억 제기

YZPST-SMCJ (G) LCE7.5A-TVS



제품 설명

기술:


이 고 신뢰성 표면 실장 과도 전압 억 제기 (TVS) 제품군에는 기본 TVS 보호 다이오드와 반대 방향으로 직렬 정류기 다이오드가 포함되어 있습니다. 보호되는 회로는 정류기 다이오드의 낮은 100pF 정전 용량 만 볼 수 있습니다. DO-215AB (gull-wing) 또는 DO-214AB (J-bend) 패키지로 제공되며 RoHS 호환 버전이 제공됩니다. 이 TVS 장치의 낮은 커패시턴스는 RTCA / DO-160D 및 IEC61000-4-5에 따른 번개의 2 차 영향에 노출 된 유도 성 스위칭 환경 또는 시스템에서 고주파 신호 및 통신 회선 보호에 적용 할 수 있습니다. 또는 ARINC

항공 항공 전자 공학용 429. 또한 IEC61000-4-2 및 IEC61000-4-4에 따라 ESD 및 EFT로부터 보호합니다.

풍모:

² 100pF의 낮은 정전 용량 또는 적게.

² 성형 컴파운드 가연성 등급 : UL94V-O.

² C- 벤드 (DO-214AB로 수정 된 J- 벤드) 또는 Gull-wing (DO-215AB)에서 사용할 수있는 두 가지 종단이 있습니다.

² MIL-PRF-19500과 관련하여 선별이 가능합니다. 스크리닝 옵션에 대한 자세한 내용은 고 신뢰성 업 스크린 플라스틱 제품 포트폴리오를 참조하십시오 (사용 가능한 모든 옵션에 대해서는 부품 명칭을 참조하십시오).

² RoHS 준수 버전 유효한.

응용 프로그램 / 이점 :

10/1000에서 ² 1500 와트 피크 펄스 전력 µs.

² 1까지 고주파 데이터 라인 보호를위한 낮은 정전 용량 MHz.

² 최대 5 단계 파형 4 및 2 단계 파형 5A까지 항공기 고속 데이터 전송률 보호

² RTCA / DO-160D (MicroNote 130 참조) 및 비트율이 100kb / s 인 ARINC 429 (ARINC 당) 429,

² 1 부, 파 2.4.1.1).

² IEC61000-4-2 ESD 15kV (공기), 8kV (접촉).

LCE6.5 ~ LCE170A 데이터에 자세히 설명 된 ² IEC61000-4-5 (번개) 시트.

² T1 / E1 라인 카드.

² 기지국, WAN 및 XDSL 인터페이스.

² CSU / DSU 장비.

절대 최대 등급 (T A = 25ºC, RH = 45 % -75 %, 달리 명시되지 않는 한 )

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage temperature range

Tstg

-65 to +150

Operating junction temperature range

Tj

-65 to +150

Thermal Resistance Junction-to-Lead (1)

JL

20

/W

Steady state power dissipation at TL=75

PM(AV)

5.0

W

Clamping Factor @ Full Rated Power

@ 50 % Rated Power

CF

1.4

1.30

 

Peak pulse power dissipation on 10/1000μs

waveform

PPP

1500

W

clamping (0 volts to V (BR) min.)

 

clamping

< 5x10 -9

S

노트: 1. 장착 평면에서 리드 (탭)에 대한 일반적인 접점.

마킹

YZPST-SMCJLCE7.5A-1

전기 특성 (TA = 25 ℃)

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off

Voltage VWM

 

 

7.5

 

V

Maximum Reverse Leakage @VWM

ID

 

VD= VWM

 

 

 

250

 

μA

Breakdown Voltage

V (BR) @ I (BR)

I (BR)10mA

8.33

 

10.2

V

Maximum Capacitance

0 Volts,f = 1 MHz

 

 

100

pF

Maximum Peak Pulse Current

IPP@10/1000Amps

 

10/1000μs

 

100

 

 

 

A

Maximum Clamping

Voltage@IPP VC

10/1000μsITIPPM

 

 

12.9

V

Working Inverse Blocking

Voltage VWIB

 

 

75

 

V

Inverse Blocking Leakage

Current IIB

 

 

10

 

uA

Peak Inverse Blocking

Voltage VPIB

 

 

100

 

V







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