YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> 실리콘 트랜지스터> TO-126 BD140-16은 실리콘 에피 택셜 평면 PNP 트랜지스터 보완 NPN 유형입니다.
TO-126 BD140-16은 실리콘 에피 택셜 평면 PNP 트랜지스터 보완 NPN 유형입니다.
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$0.0310000-99999 Piece/Pieces

$0.02≥100000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Others
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-BD140-16

상표yzpst

신청마이크로폰, 해당 없음

공급 유형원래 제조업체, ODM, 다른

참고 자료데이터 시트, 사진, 다른

포장 종류표면 실장

설치 방법구멍을 통해, 해당 없음

FET 기능해당 없음

구성해당 없음

VCBO-80V

VCEO-80V

VEBO-5V

IC-1.5A

IB-0.5A

Ptot12.5W

Tj150℃

Tstg-55~150℃

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
다운로드 :
트랜지스터 BD139-16 ~ 126FCU
제품 설명

PNP 실리콘 트랜지스터

YZPST-BD140-16

TO-126 BD140-16은 실리콘 에피 택셜 평면 PNP 트랜지스터 보완 NPN 유형입니다.


설명

BD140-16은 실리콘 에피 택셜 평면 PNP 트랜지스터입니다

오디오 용으로 설계된 Jedec to-126 플라스틱 패키지에서

보완 또는 준를 사용하는 앰프 및 드라이버

컴퓨터 회로.

보완적인 NPN 유형은 BD139-16입니다

Yzpst Bd140 16 Jpg


절대 최대 등급 ( 고마워 = 25 o c)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

-80

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

-80

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

-5.0

V

Collector Current

IC

-1.5

A

Base Current

IB

-0.5

A

Total Dissipation at

Ptot

12.5

W

Max. Operating Junction Temperature

Tj

150

oC

Storage Temperature

Tstg

-55~150

oC

전기 특성 (TA = 25 O C)

Parameter Symbol Test   Conditions Min. Typ. Max. Unit
Collector Cut-off Current ICBO VCB  = -80V, IE  = 0 -10 μA
Emitter Cut-off Current IEBO
VEB  = -5.0V, IC  = 0 -10 μA
VCEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage IC  = -1.0mA, IB  = 0 -80 V
VCE  = -2.0V, IC  = -0.15A 100 250
DC Current Gain hFE
VCE  = -2.0V, IC  = -0.5A 100
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage IC  = -0.5A, IB  = -0.05A -0.5 V
VBE
Base-Emitter Voltage IC  = -0.5A, VCE  = -2.0V -1 V
fT
Transition Frequency VCE  = -5.0V,IC  = -50mA 80 MHz



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苏ICP备05018286号-1
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