TO-247 DC-AC 변환기 상보 형 NPN 트랜지스터

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-2SDW100

상표: YZPST

제품 설명

상보 형 전력 Darlington 트랜지스터

YZPST-2SDW100

풍모

■ 상보적인 NPN - PNP 트랜지스터

■ 모노 리식 달링턴 구성

응용 분야

■ 오디오 파워 앰프

■ DC-AC 변환기

■ 저전압 DC 모터 드라이브

■ 범용 스위칭 애플리케이션

기술

이 디바이스는 [베이스 아일랜드 (base island) 레이아웃 및 모노 리식 달링턴 (monolithic Darlington) 구성으로 평면 기술로 제조됩니다.

T A B 르 1 . D e v i c e 요약

Order code

Marking

Package

Packaging

2SDW100

TO-247

Tube

2SDW200

1 절대 맥시 m 유엔 평점

T A B 르 2 . AB S O L 개의 UT 전자 m a x i m u m ra ti ngs

Symbol	Parameter	Value		Unit
		NPN	2SDW100
		PNP	2SDW200
VCBO	Collector-emitter voltage (IE = 0)		80	V
VCEO	Collector-emitter voltage (IB = 0)		80	V
IC	Collector current		25	A
ICM	Collector peak current (tP < 5 ms)		40	A
IB	Base current		6	A
IBM	Base peak current (tP < 5 ms)		10	A
PTOT	Total dissipation at Tc ≤ 25 °C		130	W
TSTG	Storage temperature		-65 to 150	°C
TJ	Max. operating junction temperature		150	°C

없음 t 전자 : F 또는 PN P 타이 P 전자 V OL t GE의 습니 U C R R 전자 NT U V 등의 전자의 a r e n e g a ti v e

T A B 르 3 . T herm al D 트랜스

Symbol	Parameter	Value	Unit
RthJC	Thermal resistance junction-case max	0.96	°C/W

2 전기 c h aracteristics

T의 캘리포니아의 전자 = 2 5 ° C; ~ 않는 한 다른 w ise spe c ified.

Symbol	Parameter	Test conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
ICBO	Collector cut-off current (IE = 0)	VCE = 80 V			0.5	mA
ICEV	Collector cut-off current (VBE = - 0.3 V)	VCE = 80 V			0.1	mA
ICEO	Collector cut-off current (IB = 0)	VCE = 60 V			0.5	mA
IEBO	Emitter cut-off current (IC = 0)	VEB = 5 V			2	mA
VCEO(sus) (1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)	IC = 50 mA	80			V
VCE(sat)(1)	Collector-emitter saturation voltage	IC = 5 A IB = 20 mA IC = 10 A IB = 40 mA IC = 20 A IB = 80 mA			1.2 1.75 3.5	V V V
VBE(sat)(1)	Base-emitter saturation voltage	C B			3.3	V
(1)	Base-emitter voltage	I = 10 A V = 3 V	1		3	V
hFE(1)	DC current gain	IC = 5 A VCE = 3 V IC = 10 A VCE = 3 V IC = 20 A VCE = 3 V	600 500 300		15000 12000 6000
VF(1)	Diode forward voltage	IF = 10 A		TBD		V
Is/b	Second breakdown current	VCE = 25 V t = 500 ms		TBD		A

T A B 르 4 . E L E I C C TR 알 C H Ra로 C t E R I S I T CS

Symbol	Parameter	Test conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
ICBO	Collector cut-off current (IE = 0)	VCE = 80 V			0.5	mA
ICEV	Collector cut-off current (VBE = - 0.3 V)	VCE = 80 V			0.1	mA
ICEO	Collector cut-off current (IB = 0)	VCE = 60 V			0.5	mA
IEBO	Emitter cut-off current (IC = 0)	VEB = 5 V			2	mA
VCEO(sus) (1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)	IC = 50 mA	80			V
VCE(sat)(1)	Collector-emitter saturation voltage	IC = 5 A IB = 20 mA IC = 10 A IB = 40 mA IC = 20 A IB = 80 mA			1.2 1.75 3.5	V V V
VBE(sat)(1)	Base-emitter saturation voltage	C B			3.3	V
(1)	Base-emitter voltage	I = 10 A V = 3 V	1		3	V
hFE(1)	DC current gain	IC = 5 A VCE = 3 V IC = 10 A VCE = 3 V IC = 20 A VCE = 3 V	600 500 300		15000 12000 6000
VF(1)	Diode forward voltage	IF = 10 A		TBD		V
Is/b	Second breakdown current	VCE = 25 V t = 500 ms		TBD		A

1. 펄스 테스트 : 펄스 지속 시간 ≤ 300 μs, 듀티 사이클 ≤ 2 %.

PNP 유형의 경우 전압 및 전류 값이 음수입니다.

TO- 2 4 7 M E CH 나 Ni C L 자 데이터