범용 저전압 트랜지스터 BD139

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-BD139

상표: YZPST

제품 설명

상보 형 저전압 트랜지스터

YZPST-BD139

풍모

■ 제품은 DC 전류 이득으로 사전 선택됩니다.

신청

■ 범용

기술

이 에피 택셜 평면 트랜지스터는 SOT-32 플라스틱 패키지에 장착된다. 이들은 보완 또는 준 보완 회로를 사용하는 오디오 앰프 및 드라이버 용으로 설계되었습니다. NPN 유형은 BD135 및 BD139이며 보완 형 PNP 유형은 BD136 및 BD140입니다.

T A B 르 1 . D e v i c e 요약

T A B 르 2. 절대 최대 정격

Symbol	Parameter	Value				Unit
		NPN		PNP
		BD135	BD139	BD136	BD140
VCBO	Collector-base voltage (IE = 0)	45	80	-45	-80	V
VCEO	Collector-emitter voltage (IB = 0)	45	80	-45	-80	V
VEBO	Emitter-base voltage (IC = 0)	5		-5		V
IC	Collector current	1.5		-1.5		A
ICM	Collector peak current	3		-3		A
IB	Base current	0.5		-0.5		A
PTOT	Total dissipation at Tc ≤ 25 °C	12.5				W
PTOT	Total dissipation at Tamb ≤ 25 °C	1.25				W
Tstg	Storage temperature	-65 to 150				°C
Tj	Max. operating junction temperature	150				°C

T A B 르 3. 데이터 열

Symbol	Parameter	Max value	Unit
Rthj-case	Thermal resistance junction-case	10	°C/W
Rthj-amb	Thermal resistance junction-ambient	100	°C/W

Symbol	Parameter	Polarity	Test conditions	Value			Unit
Symbol	Parameter	Polarity	Test conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
ICBO	Collector cut-off current (I =0)	NPN	VCB = 30 V VCB = 30 V, TC = 125 °C			0.1 10	µA µA
ICBO	Collector cut-off current (I =0)	PNP	VCB = -30 V VCB = -30 V, TC = 125 °C			-0.1 -10	µA µA
IEBO	Emitter cut-off current (I =0)	NPN	VEB = 5 V			10	µA
IEBO	Emitter cut-off current (I =0)	PNP	VEB = -5 V			-10	µA
VCEO(sus)(1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)	NPN	IC = 30 mA BD135 BD139	45 80			V V
VCEO(sus)(1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)	PNP	IC = -30 mA BD136 BD140	-45 -80			V V
VCE(sat) (1)	Collector-emitter saturation voltage	NPN	IC = 0.5 A, IB = 0.05 A			0.5	V
VCE(sat) (1)	Collector-emitter saturation voltage	PNP	IC = -0.5 A, IB = -0.05 A			-0.5	V
VBE (1)	Base-emitter voltage	NPN	IC = 0.5 A, VCE = 2 V			1	V
VBE (1)	Base-emitter voltage	PNP	IC = -0.5 A, VCE = -2 V			-1	V
hFE (1)	DC current gain	NPN	IC = 5 mA, VCE = 2 V IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V	25 40 25		250
hFE (1)	DC current gain	PNP	IC = -5 mA, VCE = -2 V IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V	25 40 25		250
hFE (1)	hFE groups	NPN	IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10 BD135-16/BD139-16	63 100		160 250
hFE (1)	hFE groups	PNP	IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10 BD136-16/BD140-16	63 100		160 250

T A B 르 / 오프 상태 4.

Symbol	Parameter	Polarity	Test conditions	Value			Unit
Symbol	Parameter	Polarity	Test conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
ICBO	Collector cut-off current (I =0)	NPN	VCB = 30 V VCB = 30 V, TC = 125 °C			0.1 10	µA µA
ICBO	Collector cut-off current (I =0)	PNP	VCB = -30 V VCB = -30 V, TC = 125 °C			-0.1 -10	µA µA
IEBO	Emitter cut-off current (I =0)	NPN	VEB = 5 V			10	µA
IEBO	Emitter cut-off current (I =0)	PNP	VEB = -5 V			-10	µA
VCEO(sus)(1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)	NPN	IC = 30 mA BD135 BD139	45 80			V V
VCEO(sus)(1)	Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)	PNP	IC = -30 mA BD136 BD140	-45 -80			V V
VCE(sat) (1)	Collector-emitter saturation voltage	NPN	IC = 0.5 A, IB = 0.05 A			0.5	V
VCE(sat) (1)	Collector-emitter saturation voltage	PNP	IC = -0.5 A, IB = -0.05 A			-0.5	V
VBE (1)	Base-emitter voltage	NPN	IC = 0.5 A, VCE = 2 V			1	V
VBE (1)	Base-emitter voltage	PNP	IC = -0.5 A, VCE = -2 V			-1	V
hFE (1)	DC current gain	NPN	IC = 5 mA, VCE = 2 V IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V	25 40 25		250
hFE (1)	DC current gain	PNP	IC = -5 mA, VCE = -2 V IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V	25 40 25		250
hFE (1)	hFE groups	NPN	IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10 BD135-16/BD139-16	63 100		160 250
hFE (1)	hFE groups	PNP	IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10 BD136-16/BD140-16	63 100		160 250