YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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전력 MOSFET smd 110v STC2326
전력 MOSFET smd 110v STC2326
전력 MOSFET smd 110v STC2326
전력 MOSFET smd 110v STC2326

전력 MOSFET smd 110v STC2326

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제품 속성

모형YZPST-STC2326

상표YZPST

제품 설명

B TA30 시리즈 트라이 액

YZPST-STC2326

기술


STC2326은 초고밀 셀 밀도 DMOS 트렌치 기술을 사용하여 만들어진 N- 채널 로직 향상 모드 전력 필드 효과 트랜지스터이다. STC2326은 동기 또는 기존 스위칭 PWM 컨트롤러를 사용하여 DC / DC 컨버터의 전체 효율을 향상 시키도록 특별히 설계되었다. 낮은 게이트 전하, 낮은 RDS (ON) 및 빠른 스위칭 속도를 위해 최적화되었습니다.

응용 프로그램


전원 시스템

DC / DC 컨버터

로드 스위치


풍모

110V / 3A, RDS (ON) = 310mΩ @ VGS = 10V

매우 낮은 RDS (ON)을위한 고밀도 셀 설계

탁월한 온 저항 및 최대 DC 전류 성능

SOT-23-6L 패키지 디자인


핀 구성 (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin

Symbol

Description

1

D

Drain

2

D

Drain

3

G

Gate

4

S

Source

5

D

Drain

6

D

Drain

O RDER ING F O R은 T M N O I IN

Part Number

Package

Part   Marking

SPN2326S26RGB

SOT-23-6L

26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S ( T A = 25 ℃ U n l e s s O t H E R w I S E n o t e d )

Parameter

Symbol

Typical

Unit

 

Drain-Source Voltage

 

VDSS

 

110

 

V

Gate Source Voltage

 

VGSS

 

±20

 

V

 

Continuous Drain Current(TJ=150℃)

TA=25℃

 

ID

3.0

 

A

TA=70℃

2.0

 

Pulsed Drain Current

 

IDM

 

10

 

A

 

Power Dissipation

TA=25℃

 

PD

2.0

 

W

TA=70℃

1.3

 

Operating Junction Temperature

 

TJ

 

-55/150

Storage Temperature Range

TSTG

-55/150

Thermal Resistance-Junction to Ambient

RθJA

62.5

/W

 

Parameter

 

Symbol

 

Conditions

 

Min.

 

Typ

 

Max.

 

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS=0V,ID=250uA

110

 

 

V

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250uA

1

2.0

2.5

Gate Leakage Current

IGSS

VDS=0V,VGS=±20V

 

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=80V,VGS=0V

 

 

1

uA

VDS=80V,VGS=0V TJ=125

 

 

 

5

On-State Drain Current

ID(on)

VDS5V,VGS =10V

3.0

 

 

A

Drain-Source On-Resistance

RDS(on)

VGS= 10V,ID=3A

 

0.26

0.31

Ω

Forward Transconductance

gfs

VDS=10V,ID=3A

 

2.4

 

S

Diode Forward Voltage

VSD

IS=1A,VGS =0V

 

 

1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS=80V,VGS=10V ID= 5A

 

9

13

 

nC

Gate-Source Charge

Qgs

 

2

 

Gate-Drain Charge

Qgd

 

1.4

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=25,VGS=0V

f=1MHz

 

508

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

 

29

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

16.5

 

Turn-On Time

td(on)

 

VDD=50V,RL=10Ω

ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω

 

2

 

 

nS

tr

 

21.5

 

 

Turn-Off Time

td(off)

 

11.2

 

tf

 

18.8

 

mosfet STC2326 (2)mosfet STC2326 (3)


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