YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
홈페이지> 제품 리스트> 반도체 모듈 장치> IGBT 모듈> 높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A
높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A
높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A
높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A
높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A
높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A

높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A

$1152-99 Piece/Pieces

$82≥100Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Air
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-450B120E53

상표yzpst

VCES1200V

IC450m

ICRM900m

VGES±20V

Ptot3000W

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
다운로드 :
IGBT 모듈 YZPT-450B120E53
제품 설명

YZPST-450B120E53

IGBT 모듈
응용 프로그램
모터 드라이브를위한 인버터
MC 및 DC 서보 드라이브 앰프
UPS (무정전 전원 공급 장치)
소프트 스위칭 용접기

fnaturns
SPT+ 기술로 낮은 VCE (SAT)
양의 온도 계수를 가진 VCE (SAT)
빠른 및 소프트 복구 반 평행 FWD 포함
높은 단락 회로 기능 (10US)
낮은 인덕턴스 모듈 구조
1200V IGBT Module 450A

절대 maxmmum ratmn


Parameter

Symbol

CondMtMons

Value

UnMt

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mm, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

450

m

Peak Collector Current

ICRM

ICRM =2IC

900

m

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

3000

W

IGBT 문자 MSTMCS

Parameter

 

Symbol

 

CondMtMons

 

Value

 

UnMt

MMn.

Typ.

Max.

 

Gate-emitter Threshold Voltage

VGE(th)

VGE=VCE, IC =3mm,Tvj=25

5.0

6.2

7.0

V

 

Collector-Emitter Cut-off Current

 

ICES

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25

 

 

1.0

mm

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125

 

 

5.0

mm

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

VCE(sat)

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=25

 

1.85

 

V

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=125

 

2.05

 

V

Input Capacitance

Cies

 

VCE=25V,VGE =0V,

f=1MHz, Tvj=25

 

31.8

 

nF

Output Capacitance

Coes

 

2.13

 

nF

Reverse Transfer Capacitance

Cres

 

1.48

 

nF

Internal Gate Resistance

Rgint

 

 

0.7

 

Ω

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

IC =450 m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=25

 

320

 

ns

Rise Time

tr

 

165

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

650

 

ns

Fall Time

tf

 

124

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

35

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

42

 

mJ

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

 

IC =450m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=125

 

350

 

ns

Rise Time

tr

 

193

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

720

 

ns

Fall Time

tf

 

156

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

55

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

64

 

mJ

 

SC Data

 

Isc

Tp≤10us,VGE=15V, Tvj=150,Vcc=600V,

VCEM≤1200V

 

 

2100

 

 

m

와이 패키지 치수

1200V IGBT Module




홈페이지> 제품 리스트> 반도체 모듈 장치> IGBT 모듈> 높은 단락 회로 기능 10US 1200V IGBT 모듈 450A
苏ICP备05018286号-1
질문 보내기
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

송신