높은 천이 주파수 BFR93A 플라스틱 캡슐 형 트랜지스터

$0.0351000-9999 Piece/Pieces

$0.023≥10000Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-BFR93A

상표: YZPST

포장 및 배송

제품 설명

높은 천이 주파수 BFR93A 플라스틱 캡슐 형 트랜지스터

플라스틱 캡슐 형 트랜지스터

YZPST-BFR93A

풍모

1. 높은 천이 주파수 (Typ.f T = 1.5GHz)

2. 작은 rbb`Cc와 높은 게인. (일반 4ps)

3. 작은 NF.

4. 우리는 RoHS 준수 제품의 재료를 선언 요구 사항.

최대 등급 ( 달리 명시되지 않는 한 T A = 25 ° C)

Parameter	Symbol	Value	Unit
Collector-Base Voltage	VCBO	20	V
Collector-Emitter Voltage	VCEO	11	V
Emitter-base voltage	VEBO	3	V
Collector Current	IC	50	mA
Collector power dissipation	PC	0.2	W
Junction temperature	Tj	150	°C
Storage temperature	Tstg	-55~+150	°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)

Parameter	Symbol	Min.	Typ	Max.	Unit	Conditions
Collector-base breakdown voltage	BVCBO	20	-	-	V	IC=10mA
Collector-emitter breakdown voltage	BVCEO	11	-	-	V	IC=1mA
Emitter-base breakdown voltage	BVEBO	3	-	-	V	IE=10mA
Collector cutoff current	ICBO	-	-	0.5	mA	VCB=10V
Emitter cutoff current	IEBO	-	-	0.5	mA	VEB=2V
Collector-emitter saturation voltage	VCE(sat)	-	-	0.5	V	IC/IB=10mA/5mA
DC current transfer ratio	hFE	56	-	120	-	VCE/IC=10V/5mA
Transition frequency	fT	1.4	3.2	-	GHz	VCE=10V, IE=-10mA, f=500MHz
Output capacitance	Cob	-	0.8	1.5	pF	VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
Collector-base time constant	rbb`Cc	-	4	12	ps	VCB=10V, IC=10mA, f=31.8MHz
Noise factor	NF	-	3.5	-	dB	VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50W