높은 열 사이클링 성능 BT145-800R TO-220 SCR

Name: SCR BT145-800R TO220
Uploaded: 2023-10-23T09:06:02+08:00
Description: SCR BT145-800R TO220

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인 코텀:	FOB,CFR,CIF
수송:	Ocean,Express,Others
포트:	SHANGHAI

Option:

I2t:450A2s
IGM:IGM
d IT/dt:200A/μs
VRRM:800V
IT(RMS):25A
ITSM:300A

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-BT145-800R

상표: yzpst

Place Of Origin: China

VRRM: 800V

IT(RMS): 25A

ITSM: 300A

I2t: 450A2s

D IT/dt: 200A/μs

IGM: 5A

VRGM: 5V

PGM: 20W

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
다운로드	:

SCR BT145-800R TO220

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제품 설명

P/N : YZPST-BT145-800R

제외 :
높은 양방향 차단 전압 기능, 높은 전류 인 흡입 기능 및 높은 열 사이클링 성능이 필요한 응용 분야에 사용하기위한 TO220 플라스틱 패키지의 평면 통행 실리콘 제어 정류기 (SCR).
특징 및 이점
AC 전력 제어
높은 양방향 차단 전압 기능
높은 열 사이클링 성능
전압 견고성 및 신뢰성을 위해 평면도
높은 접합부 작동 온도 기능 (TJ (max) = 150 ° C)
패키지는 UL94V0 가연성 요구 사항을 충족합니다
패키지는 ROHS를 준수합니다
IEC 61000-4-4 빠른 트랜스엔
응용 프로그램
용량 성 배출 점화 (CDI)
크로바 보호
무례한 보호
모터 제어
전압 규정

높은 접합부 작동 온도 기능 (TJ (max) = 150 ° C)

빠른 참조 데이터

Symbol	Parameter	Conditions	Min	Typ	Max	Unit
Absolute maximum rating
VRRM	repetitive peak reverse voltage		-	-	800	V
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128 °C;	-	-	25	A
IT(RMS)	RMS on-state current	Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3	-	-	25	A
ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5	-	-	300	A
ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms	-	-	330	A
Tj	junction temperature		-	-	150	°C
Symbol	Parameter	Conditions	Min	Typ	Max	Unit
Static characteristics
IGT	gate trigger current	VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C; Fig. 7	1.5	-	15	mA
IH	holding current	VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9	-	-	60	mA
VT	on-state voltage	IT = 30 A; Tj = 25 °C; Fig. 10	-	1.1	1.5	V
Dynamic characteristics
dVD/dt	rate of rise of off-state voltage	VDM = 536 V; Tj = 150 °C; (VDM = 67% of VDRM); exponential waveform; gate open circuit	80	-	-	V/μs

값 제한

i n 일치 ~와 함께 그만큼 순수한 최고 평가 체계 ( IEC 60134).

Symbol	Parameter	Conditions	Min	Max	Unit
VDRM	repetitive peak off-state voltage		-	800	V
VRRM	repetitive peak reverse voltage		-	800	V
IT(AV)	average on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128°C;	-	16	A
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3	-	25	A

ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5	-	300	A
ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms	-	330	A
I2t	I2t for fusing	tp = 10 ms; SIN	-	450	A2s
d IT/dt	rate of rise of on-state current	IG = 20 mA	-	200	A/μs
IGM	peak gate current		-	5	A
VRGM	peak reverse gate		-	5	V
VRGM	voltage		-	5	V
PGM	peak gate power		-	20	W
PG(AV)	average gate power	over any 20 ms period	-	0.5	W
Tstg	storage temperature		-40	150	°C
Tj	junction temperature		-	150	°C

열 특성

Symbol	Parameter	Conditions	Min	Typ	Max	Unit
Rth(j-mb)	thermal resistance	Fig. 6	-	-	1	K/W
	from junction to
	mounting base
Rth(j-a)	thermal resistance	in free air	-	60	-	K/W
	from junction to
	ambient free air