높은 안정성 PNP 유형 트랜지스터 2SA940

Name: 높은 안정성 PNP 유형 트랜지스터 YZPST-2SA940
Uploaded: 2022-12-21T09:40:00+08:00
Description: 높은 안정성 PNP 유형 트랜지스터 YZPST-2SA940

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수송:	Ocean,Air
포트:	SHANGHAI

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-2SA940

상표: yzpst

VCBO: -150V

VCEO: -150V

VEBO: -5V

IC: -1.5A

PTOT: 25W

Tj: 150℃

Tstg: -55—150℃

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 전자성 포장 2. 카톤 박스 3. 플라스틱 보호 포장
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높은 안정성 PNP 유형 트랜지스터 YZPST-2SA940

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제품 설명

PNP 유형 트랜지스터 2SA940

프랑스어 :
2SA940은 PNP 유형 트랜지스터로 전자 밸러스트 및 전자 에너지 절약 램프의 전원 스위치 튜브로 사용됩니다. 낮은 스위칭 손실, 높은 신뢰성, 고온 특성이 우수한 특성, 적절한 스위칭 속도, 높은 분해 전압, 낮은 역 누출 등의 특성이 있습니다.
high reliability PNP Type Transistor 2SA940

high reliability PNP Type Transistor 2SA940

절대 최대 I Mum 등급

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCBO	Collector-Base Voltage	-150	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage	-150	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
IC	Continuous Collector Current	-1.5	A
PTOT	Total dissipation at Tcase=25 ℃	25	W
T_j	Junction Temperature	150	℃
T_stg	Stora-1.5ge Temperature Range	-55〜150	℃

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TC = 25 ° C)

Symbol	Parameter	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Min	Type	Max	Unit
V(BR)CBO	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C=-1mA	-150			V
V(BR)CEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C=-1mA	-150			V
V(BR)EBO	Emitter-Base Breakdown Voltage	I_E=-1mA	- 5			V
ICBO	Collector Cutoff Current	V_CB=-150V, I_E=0			-5	μA
ICEO	Collector Cutoff Current	V_CE=-150V, I_C=0			-5	μA
IEBO	Emitter Cutoff Current	V_EB=-5V, I_C=0			-5	μA
hFE	DC Current Gain	V_CE=-10V, I_C=-0.5A	40		140
VCE(sat)	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C=-0.5A, I_B=-50mA			-0.85	V
VBE(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C=-0.5A, I_B=-50mA			-1.5	V
a: tp≤300μs,δ≤2%