NPN 실리콘 전력 트랜지스터 MJE2955T MJE3055T 보완

Name: YZPST-MJE2955T NPN 실리콘 전력 트랜지스터 MJE29
Uploaded: 2022-12-21T14:17:34+08:00
Description: NPN 실리콘 전력 트랜지스터 MJE2955T MJE3055T 보완

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-MJE2955T

상표: yzpst

VCBO: -70V

VCEO: -60V

VEBO: -5V

IC: -10A

PTOT: 75W

Tj: 150℃

Tstg: -55-150℃

포장 및 배송

YZPST-MJE2955T NPN 실리콘 전력 트랜지스터 MJE29

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제품 설명

PNP 실리콘 파워 트랜지스터 MJE2955T

프랑스어 :
MJE2955T는 PNP 트랜지스터이며, 이는 MJE3055T에 보완되며 오디오 전력 증폭 및 전력 변환 회로에 사용됩니다.

패키지 양식 : TO-220

TO220 Silicon Power Transistors MJE2955T

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCBO	Collector-Base Voltage	-70	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage	-60	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
IC	Continuous Collector Current	-10	A
PTOT	Total dissipation at Tcase=25 ℃	75	W
T_j	Junction Temperature	150	℃
T_stg	Storage Temperature Range	-55-150	℃

● 전기적 특성 (달일이없는 한 TC = 25 ° C 지정)

Symbol	Parameter	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Min	Type	Max	Unit
VCBO	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= -10mA	-70			V
VCEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= -200mA	-60			V
VEBO	Emitter-Base Breakdown Voltage	I_E= -10mA	- 5			V
ICBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -70V			1	mA
IEBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -5V			5	mA
hFE	DC Current Gain	I_C= -4A,V_CE= -4V	20		100
VCE(sat)	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= -4A,I_B= -0.4A			-1.1	V
VBE(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= -4A,I_B= -4A			-1.8	V
f_T	Transition Frequency	VCE=10V, IC=0.5A， f=1MHZ	2			MHZ
a：Pulse Test，tp ≤300us，δ≤2%