전류 충격 저항의 높은 능력 BT152-500RT to-220 scr

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Option:

IT (RMS)：20A
IGM:4A
PG(AV):1W
IT(AV):13A
PGM:5W
ITSM:200A

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-BT152-500RT

상표: yzpst

Place Of Origin: China

IT (RMS): 20A

IT(AV): 13A

ITSM: 200A

IGM: 4A

PGM: 5W

PG(AV): 1W

Tstg: -40--+150℃

Tj: -40--+125℃

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
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제품 설명

YZPST-BT152-500RT

● 제품 기능
실리콘 일방적 장치 NPNP 4 층 구조,
확산 분리를 통한 P+,
단일 메사 구조 (단일 메사),
테이블 유리 수파화 과정,
후면 (양극) 전극 금속 : ti-ni-ag
현재 충격 저항의 높은 능력
● 주요 목적
전류 스위치를 번갈아 가며
AC DC 전원 변환기,
전기 난방 제어
운동 속도 제어
● 패키지
TO-220M1 TO-220F

YZPST-BT152-500RT(4)

주요 기능 (TJ = 25 ℃)

Symbol	Value	Unit
IT (RMS)	20	A
VDRM VRRM	600/800	V
IGT	≤200	uA

절대 등급 (값 제한)

Symbol	Parameter	Value	Unit
IT (RMS)	RMS on-state current (180 °conduction angle)	20	A
IT(AV)	AV on-state current (180 °conduction angle)	13	A
ITSM	Non repetitive surge peak on-state	200	A
ITSM	Current (tp=10ms)	200	A
IGM	Peak gate current(tp=20us)	4	A
PGM	Peak gate power	5	W
PG(AV)	Average gate power	1	W
Tstg	Storage temperature	110	℃
Tj	Operating junction temperature	85	℃

열 저항

Symbol	Parameter		Value	Unit
		TO-220M1	2.2
Rth (j-c)	Junction to case	TO-220F	2.5	℃/W

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25 ℃)

Symbol	Test Conditions		Value			Unit
Symbol	Test Conditions		Min	Type	Max	Unit
IGT	VD=12V, RL=33Ω		----	5	25	mA
VGT	VD=12V, RL=33Ω		-----	-----	1.3	V
VGD	VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃		0.2	-----	-----	V
IH	IT=500mA		-----	-----	30	mA
IL	IG=1.2IGT		-----	-----	60	mA
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		500			v/ μs
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		500	-----	-----	v/ μs
VTM	IT=30A,tp=380 μs		-----	-----	1.6	V
dI/dt	IG=2IGT		50	-----	-----	A/μs
I2T	Tp=10ms		-----	-----	200	A2S
		Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IDRM	VD=VDRM	Tj=125℃	-----	-----	1	mA
		Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IRRM	VR=VRRM	Tj=125℃	-----	-----	1	mA