YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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고전압 30TPS12 30A SCR TO-247
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고전압 30TPS12 30A SCR TO-247

$0.861000-1999 Piece/Pieces

$0.7≥2000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-30TPS12

상표yzpst

원산지중국

IGT≤35 mA

IT(RMS)30 A, 30A

VRRM1200V

VDRM1200V

IT(AV)20A

ITSM300A

I2t450A2s

DI /dt50A/μs

PG(AV)1W

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
사진 예 :
다운로드 :
SCR 30TPS12 ~ 247
제품 설명

30TPS12 사이리스터 P/N : YZPST-30TPS12

고전압 30TPS12 30A SCR TO-247

제외 :

30TPS12 고전압 시리즈의 실리콘 제어 정류기는 중간 전력 스위칭 및 위상 제어 응용 프로그램을 위해 특별히 설계되었습니다. 사용 된 유리 통신 기술은 최대 125 ° C 접합 온도의 신뢰할 수있는 작동을 가지고 있습니다.이 제품은 입력 정류 (소프트 스타트)에 있으며 이러한 제품은 입력 다이오드, 스위치 및 출력 정류기와 함께 사용되도록 설계되었습니다. .

YZPST-30TPS12 SCR


상징

Symbol

Value

IGT

35 mA

IT(RMS)

30 A

VRRM

1200 V

절대 MAX I MUM 등급 (달리 지정되지 않는 한 TC = 25 ° C)

Symbol

PARAMETER

Value

Unit

V DRM

Repetitive peak off-state voltage (Tj =25)

1200

V

VRRM

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)

1200

V

IT(AV)

Average on-state current (180° conduction angle)

20

A

IT(RMS)

RMS on-state current(full sine wave)

30

A

ITSM

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz TC=85℃)

300

A

I2t

I2t for Fusing (t = 10 ms)

450

A2s

dI /dt

Critical rate of rise of on-state current

(I =2 ×IGT, tr  ≤  100 ns)

50

A/μs

IGM

Peak Gate Current

4

A

PG(AV)

Average Gate Power dissipation

1

W

Tstg

Storage junction temperature range

-40 ~ 150

°C

TJ

Operating junction temperature range

-40 ~ 125

°C

전기적 특성 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25。C)


Symbol Test Condition Value Unit
Min Max
IGT V = 12V R =33Ω 35 mA
VGT 1.3 V
VGD VD=VDRM Tj=125℃ 0.2 V
IL IG= 1.2IGT 180 mA
IH IT=500mA 120 mA
dV/dt VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ 500 V/μs
VTM ITM =45A tp=380μs 1.7 V
IDRM VD=VDRM VR=VRRM 20 μA
IRRM 4 mA

패키지 기계 데이터

PACKAGE MECHANICAL DATA

苏ICP备05018286号-1
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