YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> 실리콘 제어 정류기 (SCR)> 표 247 SCR 1200V에 대한 테이블 유리 수파화 공정
표 247 SCR 1200V에 대한 테이블 유리 수파화 공정
표 247 SCR 1200V에 대한 테이블 유리 수파화 공정
표 247 SCR 1200V에 대한 테이블 유리 수파화 공정
표 247 SCR 1200V에 대한 테이블 유리 수파화 공정
표 247 SCR 1200V에 대한 테이블 유리 수파화 공정

표 247 SCR 1200V에 대한 테이블 유리 수파화 공정

$0.751000-9999 Piece/Pieces

$0.55≥10000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Air
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-40TPS12

상표yzpst

원산지중국

IT (RMS)40A

VDRM / VRRM1200V

IGT≤35mA

ITSM460A

IGM4A

PGM5W

PG(AV)1W

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 카톤 박스 3. 플라스틱 보호 포장
사진 예 :
다운로드 :
SCR YZPST-40TPS12
제품 설명

SCR YZPST-40TPS12

제품 특징

테이블 유리 수파화 과정,

후면 (양극) 전극 금속 : ti-ni-ag

양수 (게이트, 양극) 전극 금속 : Al

주요 목적

전류 스위치를 번갈아 가며

AC DC 전원 변환기,

전기 난방 제어

운동 속도 제어

패키지

TO-247

SCR

메인 피트 (TJ = 25 ℃)

Symbol

Value

Unit

IT (RMS)

40

A

VDRM   / VRRM

1200

V

IGT

35

mA

절대 r ats ( 제한 )

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT (RMS)

RMS on-state current (180°conduction angle)

40

A


ITSM

 

Non repetitive surge peak on-state

Current (tp= 10ms)

460

A

IGM

Peak gate current(tp=20us)

4

A

PGM

Peak gate power

5

W

PG(AV)

Average gate power

1

W

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+ 150 -40--+ 125

SCR YZPST-40TPS12

저항 s

Symbol

Parameter

 

Value

Unit

 

Rth (j-c)

 

Junction to case

 

TO-247

 

0.95

 

/W

전기 특성 _달리 명시되지 않는 한 tj = 25

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Min

Type

Max

IGT

VD= 12V, RL=33 Ω

----

-----

35

mA

VGT

VD= 12V, RL=33 Ω

-----

-----

1.5

V

VGD

VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK= 1KΩ,Tj=125

0.2

-----

-----

V

H

IT=500mA

-----

-----

75

mA

L

IG= 1.2IGT

-----

-----

150

mA

dV/dt

VD=67%VDRM, GateOpen,  Tj=110℃

1000

 

-----

 

-----

v/ μs

VTM

IT=80A,tp=380 μs

-----

-----

1.6

V

dI/dt

IG=2IGT

50

-----

-----

A/ μs

I2T

Tp= 10ms

-----

-----

1060

A2 S

IDRM

VD=VDRM

Tj=25℃

-----

-----

10

μA

Tj=125℃

-----

-----

4

mA

 

VRRM

VR=VRRM

Tj=25℃

-----

-----

10

μA

Tj=125℃

-----

-----

4

mA


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