YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> 실리콘 제어 정류기 (SCR)> 높은 DV/DT 속도 TO-92 0.8A SCR
높은 DV/DT 속도 TO-92 0.8A SCR
높은 DV/DT 속도 TO-92 0.8A SCR
높은 DV/DT 속도 TO-92 0.8A SCR
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높은 DV/DT 속도 TO-92 0.8A SCR

높은 DV/DT 속도 TO-92 0.8A SCR

$39200-1999 Others

$32≥2000Others

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Express,Others
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-BT169 10-30UA

상표yzpst

원산지중국

LT(RMS)0.8A

VTM<1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

LTSM10A

L2t0.5A2s

Dl/dt50A/μs

포장 및 배송
판매 단위 : 1000 pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상자 박스 3. 브레이드
다운로드 :
SCR BT169 10-30UA TO92CU
제품 설명

yzpst-bt169 scr


설명:

BT 1 6 9 SCR 시리즈는 높은 DV/DT 속도를 제공합니다.

전자기 인터페이스에 대한 강한 저항.

특히 잔류 전류 회로 차단기, 직선 머리, 점화기 등에 사용하는 것이 좋습니다.

YZPST-BT169 10-30UA TO-92


기본 특징:

symboI

vaIue

unit

lT(RMS)

0.8

A

VDRM/VRRM

400/600/800

V

VTM

<1.5

V

순수한 최고 등급 :

Parameter

SymboI

vaIue

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

400/600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

400/600/800

V

RMS on-state current (Tc=80)

lT(RMS)

0.8

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

lTSM

10

A

l2t value for fusing (tp=10ms)

l2t

0.5

A2s

critical rate of rise of on-state current (lG=2xlGT)

dl/dt

50

A/μs

Peak gate current

lGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

전기적 특성 (달리 명시되지 않는 한 tj = 25k)

SymboI vaIue
Test Condition MlN TYPE MAX unit
lGT - 20 200 μA
VGT VD=12V, RL=33Ω - 0.5 1 V
VD=VDRM Tj=110K
VGD RL=3.3KΩ 0.2 - - V
lH lT=50mA - - 2 mA
lL lG=1.2lGT - - 3 mA
VD=0.66XVDRM   Tj=110K
dV/dt G  RGK=1KΩ 20 - - V/μs

정적 특성

SymboI Test Condition vaIue unit
VTM lTM=2A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
lDRM VDRM= VRRM Tj=25 5 μA
lRRM RGK=1KΩ Tj=110 MAX 100 μA

패키지 기계적 데이터

YZPST-BT169 TO-92


苏ICP备05018286号-1
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