YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> 실리콘 제어 정류기 (SCR)> 높은 DV/DT 속도 to-126 2P6M 2A 민감한 SCR
높은 DV/DT 속도 to-126 2P6M 2A 민감한 SCR
높은 DV/DT 속도 to-126 2P6M 2A 민감한 SCR
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$4550-999 Others

$39≥1000Others

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Air
포트:SHNAGHAI
제품 속성

모형YZPST-2P6M 10-30UA

상표yzpst

원산지중국

IT(RMS)20A, 2A

IGT≤200μA

VDRM600V

VRRM600V

ITSM20A

I2t2A2s

DI/dt50dI/dt

포장 및 배송
판매 단위 : 1000 pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
다운로드 :
SCR 2P6M 10-30UA TO126CU
제품 설명

2p6m 2 a 예민한 SCRS


설명:

2P6M 2A SCR 시리즈는 높은 DV/DT 속도를 제공합니다.

전자기 인터페이스에 대한 강한 저항.

특히 잔류 전류 회로 차단기, 직선 머리, 점화기 등에 사용하는 것이 좋습니다.

YZPST-2P6M TO-126

기본 특징:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

순수한 최고 등급 :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

전기적 특성 (달리 명시되지 않는 한 tj = 25 25)

Symbol Value
Test Condition MIN TYPE MAX Unit
IGT VD=12V, RL=33Ω - 50 200 μA
VGT - 0.6 0.8 V
VGD VD=VDRM Tj=110 0.2 - - V
IH IT=50mA - - 5 mA
IL IG=1.2IGT - - 6 mA
dV/dt VD=2/3×VDRM   Tj=110 RGK=1KΩ 20 - - V/ µs

열의 저항

Symbol Test Condition Value Unit
TO-251-4R/TO-252-4R 6.5
TO-92 10
TO-126 7
junction to case(AC) SOT-89-3L 8.3 /W
Rth(j-c) SOT-223-3L 7.3

패키지 기계적 데이터

YZPST-2P6M 10-30UA

苏ICP备05018286号-1
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