YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> 실리콘 제어 정류기 (SCR)> 높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR
높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR
높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR
높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR
높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR
높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR
높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR
높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR

높은 dv / dt 속도 2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR

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$0.065≥1000Piece/Pieces

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제품 속성

상표YZPST

IT(RMS)2a

IGT≤200μa

VDRM/VRRM600v

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

ITSM20a

I2t2a2s

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 자세한 제품 정보 및 거래 정보는 이메일 주소 : info@yzpst.com으로 문의하십시오.
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제품 설명


2P4M / WR0205 2A 민감한 SCR

YZPST-2P4M / WR0205

기술:

2P4M 2A SCR 시리즈는 전자기 인터페이스에 대한 강력한 저항과 함께 높은 dv / dt 속도를 제공합니다.

특히 잔류 전류 회로 차단기, 스트레이트 헤어, 점화기 등에 사용하는 것이 좋습니다.

최은정 .jpg

주요 특징:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

절대 최대 등급 :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)

dI/dt

50

A/μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

.jpg














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