NPN 실리콘 파워 트랜지스터 13005D

Name: NPN 실리콘 파워 트랜지스터 YZPST-13005D
Uploaded: 2022-12-21T08:49:22+08:00
Description: NPN 실리콘 파워 트랜지스터 13005D

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포트:	SHANGHAI

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-13005D

상표: yzpst

VCBO: 700V

VCEO: 400V

VEBO: 9V

IC: 3A

Icm: 6A

PTOT: 75W

Tj: 150℃

Tstg: -55—150℃

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 전자성 포장 2. 카톤 박스 3. 플라스틱 보호 포장
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NPN 실리콘 파워 트랜지스터 YZPST-13005D

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제품 설명

NPN 실리콘 파워 트랜지스터 13005D
● 제작 :
13005D는 전자 밸러스트 및 전자 에너지 절약 -램프에 사용되는 NPN 트랜지스터입니다. 낮은 스위칭 손실, 높은 신뢰성, 고온 특성이 우수한 특성, 적절한 스위칭 속도, 높은 분해 전압 및 낮은 역 누출의 특성을 가지고 있습니다.

Silicon Power Transistors

● 절대 최대 I Mum 등급

Symbol	Parameter		Value	Unit
VCBO	Collector-Base Voltage		700	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage		400	V
VEBO	Emitter-Base Voltage		9	V
I_C	Continuous Collector Current		3	A
Icm	Collector Pulse Current（Tp＜5ms）		6	A
PTOT	Total dissipation at Tcase=25 ℃	TO-126SD	50	W
PTOT	Total dissipation at Tcase=25 ℃	TO-220	75	W
T_j	Junction Temperature		150	℃
T_stg	Storage Temperature Range		-55—150	℃

● 전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TC = 25 ° C)

Symbol	Parameter	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Min	Type	Max	Unit
ICBO	Collector Cutoff Current	V_CB= 700 V，IE=0			0.1	mA
ICEO	Base Cutoff Current	V_CE= 400 V，Ic=0			0.1	mA
IEBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 9 V，I_C=0			0.1	mA
VCBO	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= 0.1mA	700			V
VCEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= 0.1mA	400			V
VEBO	Emitter-Base Breakdown Voltage	I_B= 0.1mA	9			V
hFE	DC Current Gain	I_C= 0.5A,V_CE= 5V	15		35
a VCE sat	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= 2A,I_B= 0.5A			1	V
a VBE sat	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 2A,I_B= 0.5A			1.5	V
ts	Storage Time	UI9600，Ic=0.5A	2		7	us
f_T	Transition Frequency	VCE=10V，IC=0.2A F=1MHz	5			MHz
a：Pulse Test，tp ≤300us，δ≤2%