2800V N2055MC280 위상 제어 응용을위한 고전력 사이리스터

$4010-49 Piece/Pieces

$38≥50Piece/Pieces

지불 유형:	L/C,T/T,Paypal
인 코텀:	FOB,CFR,CIF
수송:	Ocean,Land,Express,Others
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Option:

VDRM:2800V
dV/dt:500 V/μsec
ITRMS:2000A
VRRM:2800V
VRSM:2900V
IT(AV):2000A

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제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-N2055MC280

상표: yzpst

공급 유형: 원래 제조업체

참고 자료: 데이터 시트, 사진

원산지: 중국

구성: 정렬

현재 분석: 해당 없음

전류 유지 (Ih) (최대): 해당 없음

전류 꺼짐 상태 (최대): 해당 없음

SCR 번호, 다이오드: 해당 없음

작동 온도: -40 ° C ~ 125 ° C (TJ)

SCR 유형: 해당 없음

구조: 해당 없음

전압 켜기: 해당 없음

전압 게이트 트리거 (Vgt) (최대): 해당 없음

전류 출력 (최대): 해당 없음

VRRM: 2800V

VDRM: 2800V

VRSM: 2900V

DV/dt: 500 V/μsec

IT(AV): 2000A

ITRMS: 2000A

I2t: 3.3x106 A2s

IL: 800mA

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
사진 예	:
다운로드	:

私域 A1237NC280.MP4



제품 설명

P/N : YZPST-N2055MC280

상 제어 응용을위한 고전력 사이리스터

특징:

. 모든 확산 된 구조

. 중앙 증폭 게이트 구성

. 최대 턴 오프 시간을 보장합니다

. 높은 DV/DT 기능

. 압력 조립 장치

전기 특성 및 등급

차단 - 상태

VRRM(1)	V DRM(1)	VRSM(1)
2800	2800	2900

VRRM = 반복 피크 역전 전압

vdrm = 상태 전압에서 반복적 인 피크

VRSM = 비 반복 피크 역전 전압 (2)

Repetitive peak reverse

leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/μsec

수행 - ~에 상태

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		2000		A	Tc=93oC
RMS value of on-state current	ITRMS		2000		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge	ITSM		41000		A	8.3 msec (60Hz),sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
(non repetitive) current			36000		A
I square t	I2t		3.3x106		A2s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	IL		800		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH				mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
			400
Peak on-state voltage	VTM				V	ITM = 2000 A;
			1.45
Critical rate of rise of on-state current (5)	di/dt				A/μs	Switching from VDRM < 1000 V, non-repetitive
			200

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		10		A
Gate current required to trigger all units	IGT		300		mA	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC
			150		mA
			125		mA
Gate voltage required to trigger all units	VGT		5		V	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
		0.3	3		V
					V
Peak negative voltage	VGRM		5		V

동적

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	td		1.5	0.7	μs	ITM = 50 A; VD = Rated VDRM
						Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 μs; tp = 20 μs
Turn-off time (with VR = -50 V)	t		500	250	μs	ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs;
						VR > -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle > 0.01%
Reverse recovery charge	Qrr				μC	ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs;
			*			VR > -50 V