KK2000A4000V 위상 제어 전력 사이리스터 4000v

$268≥20Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-KK2000A4000V

상표: YZPST

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 정전기 방지 포장 2. 판지 상자 3. 플라스틱 보호 포장

제품 설명

위상 제어용 고출력 싸이 리스터

YZPST-KK2000A4000V

풍모:

. 모든 확산 구조

. 인터 디지 테이 티드 증폭 게이트 구성

. 보장 된 최대 턴 오프 시간

. 높은 dV / dt 성능

. 압력 조립 장치

전기적 특성 및 등급

블록 k에 보내고 - 끄기 S 탓

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
KK2000A	4000	4000	4100

V RRM = R e p etiti v e p e a k R 전자 V 전자의 R의 전자 v o lta g e

V DRM = R e p etiti v e p e a k o f f s tate v o lta g e

V R S M = N o n r e p etiti v e p e a k R 전자 V 전자의 R의 전자 v o lta g e (2 )

Repetitive peak reverse

leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

공동 n 개의 덕트 - S 탓에

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		2000		A	Sinewave,180o conduction,Tc=70oC
RMS value of on-state current	ITRMS		3300		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	ITSM		42000 39000		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
I square t	I2t		5.5x106		A2s	8.3 msec
Latching current	IL		1000		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		500		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.60		V	ITM = 2000 A; Tj = 125 oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		300		A/ms	Switching from VDRM £ 1000 V

G 팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		20		A
Gate current required to trigger all units	IGT		300 200 125		mA mA mA	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT	0.30	5 4		V V V	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		20		V

D y na m ic

Parameter	Symbol	Min.	Max.		Typ.	Units	Conditions
Delay time	td			2.0		ms	ITM = 50 A; VD = 67% VDRM Gate pulse: VG = 30 V; RG = 10 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms
Turn-off time (with VR = -5 V)	tq			100		ms	ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -5 V; Re-applied dV/dt = 400 V/ms linear to 67% VDRM ; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery current	Irr		200			A	ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V; Tj = 125 oC

온도 및 기계적 특성 및 등급

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+150		oC
Thermal resistance - junction to case	RQ (j-c)		0.012		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	RQ (c-s)		0.002		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	8000 35.5	10000 44.4		lb. kN
Weight	W			3.5 1.60	Lb. Kg.