YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 디스크 장치 (캡슐 유형)> 위상 제어 사이리스터> 2100V 인터 디지 테이 티드 증폭 위상 제어 사이리스터
2100V 인터 디지 테이 티드 증폭 위상 제어 사이리스터
2100V 인터 디지 테이 티드 증폭 위상 제어 사이리스터
2100V 인터 디지 테이 티드 증폭 위상 제어 사이리스터

2100V 인터 디지 테이 티드 증폭 위상 제어 사이리스터

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제품 속성

모형YZPST-R2619ZC21J

상표YZPST

제품 설명
위상 제어용 고출력 싸이 리스터

YZPST-R2619ZC21J

풍모:

. 모든 확산 구조

. 인터 디지 테이 티드 증폭 게이트 구성

. 보장 된 최대 턴 오프 시간

. 높은 dV / dt 성능

. 압력 조립 장치



전기적 특성 및 등급

차단 - 차단 상태

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

2100

2100

2200

V RRM = 반복 피크 역 전압

V DRM = 반복적 인 피크 오프 전압

V RSM = 반복적 인 피크 역 전압 (2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

전도 - 온 상태

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2619

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

5227

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

33.8

  

37.2

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

5.71x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.3

V

ITM = 4000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

게이팅

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

동적

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

0.8

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

1.5

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

50

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

온도 및 기계적 특성 및 등급

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to sink

RQ (c-s)

 

11

22

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

27

47

-

kN

 

Weight

W

 

 

1.7

Kg

about

* 장착 표면이 매끄럽고 납작하고 윤활 처리되어 있습니다.

참고 : 케이스 개요 및 치수는이 기술 데이터의 마지막 페이지에있는 케이스 개요도를 참조하십시오.



Fast thyristors 63H20

Sym

A

B

C

D

H

mm

109

73

98

3.5×3

35±1

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