위상 제어 응용을위한 고전력 사이리스터 1600V

$3501-9 Piece/Pieces

$250≥10Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-KP4350A1600V

상표: yzpst

VRRM: 1600V

VDRM: 1600V

I RRM /I DRM: 450A

I T(AV): 4350A

포장 및 배송

私域 KP4350A1600V.MP4

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제품 설명

위상 제어 응용을위한 고전력 사이리스터

YZPST-KP4350A1600V

특징:

. 모든 확산 된 구조

. 선형 증폭 게이트 구성

. 최대 16 00 볼트 의 성능 차단

. 최대 턴 오프 시간을 보장합니다

. 높은 DV/DT 기능

. 압력 조립 장치

전기 특성 및 등급

차단 - 상태

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
KP4350A	1600	1600	1700

v _rrm = 반복 피크 역전 전압

v _drm = 반복 피크 상태 전압

v _rsm = 비 반복 피크 역전 전압 (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

450 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

300 V/msec

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		4350		A	Sinewave,180^o conduction,T_S=70^oC
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current	I_TSM		48900		A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		11.9x10⁶		A²s	10.0 msec
Latching current	I_L		1000		mA	V_D = 12 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		450		mA	V_{D =} 12 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.5		V	I_TM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01% T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		200		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		15		A
Gate current required to trigger all units	I_GT	30	300 200 125		mA mA mA	V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT	0.30	5 3		V V V	V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 12 V;R_L = 6 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		15		V