사이리스터 제어 압력 조립 장치

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모형: YZPST-DCR1020SF65-1

상표: YZPST

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포장 종류

1. 정전기 방지 포장 2. 판지 상자 3. 플라스틱 보호 포장

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고전력 사이리스터

YZPST-DCR1020SF65-1

사이리스터의 적용 dc 모터 사이리스터 제어 압력 조립 장치 사이리스터 모든 정격은 별도의 언급이 없는 한 Tj = 25 oC로 규정되어 있습니다.

(1) 모든 전압 등급은 -40 ~ + 125 oC 의 온도 범위 에서 적용된 50Hz / 60zHz 정현파 파형에 대해 지정됩니다 .

(2) 10 msec. 최대 펄스 폭

(3) Tj = 125 oC에 대한 최대 값.

(4) 직선 및 지수 파형의 최소값 VDRM 80 %. 문 열어. Tj = 125 ℃.

(5) 비 반복 값.

(6) di / dt 값은 EIA / NIMA 표준 RS-397, 5-2-2-6 절 에 따라 설정됩니다 . 정의 된 값은 addi-

스 너버 회로에서 얻은 결과 와 비교할 때, 테스트 대상인 사이리스터와 병렬로 0.2 F 커패시터와 20 옴 저항을 포함합니다 .

특징 : . 모든 확산 된 구조 . 센터 증폭 게이트 구성 . 최대 4200V의 차단 기능

. 보장 된 최대 턴 오프 시간 . 높은 dV / dt 기능 . 압력 조립 장치

High Power Thyristor

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		640		A	Sinewave,180o conduction,T =60oC c
RMS value of on-state current	ITRMS		1005		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	ITSM		- 8.5		KA KA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC
I square t	I2t		0.36x106		A2s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	IL		600		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		200		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		3.6		V	ITM = 1800 A; Duty cPSTCle 0.01%; T = 25 oC j
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ s	Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/ s	Switching from VDRM 1000 V

E L E CTR I C A L CH R은 C T R E는 C T I S IS 막내 D R은 T G S I N

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		150		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		-		A
Gate current required to trigger all units	IGT		- 300 -		mA mA mA	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +25 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +125oC D L j
Gate voltage required to trigger all units	V		- 3.0 -		V V V	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = 0-125oC D L j VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; T = + 125 oC j
Peak negative voltage	VGRM		5		V

G의 T 자 I n 개의 g

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		150		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		-		A
Gate current required to trigger all units	IGT		- 300 -		mA mA mA	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +25 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +125oC D L j
Gate voltage required to trigger all units	V		- 3.0 -		V V V	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = 0-125oC D L j VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; T = + 125 oC j
Peak negative voltage	VGRM		5		V

D y n a m i c

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

0.5

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 s; tp = 20 s

Turn-off time (with VR = -50 V)

600

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s;

VR -50 V; Re-applied dV/dt = 20

V/ s linear to 80% VDRM; VG = 0;

T = 125 oC; Duty cPSTCle

0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s; VR -50 V

* F o r 구 A부터 R 막내의 t의 EED m a x . V 루 전자, c t t c c t f a c t o r y .

T H E R M A L 막내 D ME CH A N I C A L CH R은 C T R E는 C T I S IS 막내 D R은 T G S I N

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+125		oC
Thermal resistance - junction to case	R (j-c)		0.022 0.052		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R (c-s)		0.004 0.008		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistamce - junction to sink	R (j-s)		- -		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	18	22		kN
Weight	W			-	g