압력 조립 장치 고성능 사이리스터 4500V

$4101-9 Piece/Pieces

$310≥10Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-R3708FC45V

상표: YZPST

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 정전기 방지 포장 2. 판지 상자 3. 플라스틱 보호 포장

私域 R3708FC45V 截取视频 15 秒 1-1.88MB.MP4.

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제품 설명

위상 제어 애플리케이션을위한 고성능 사이리스터

YZPST-R3708FC45V

풍모:

. 모든 확산 구조

. 선형 증폭 게이트 구성

. 최대 4500V의 차단 기능

. 최대 끄기 시간 보장

. 높은 dV / dt 기능

. 압력 조립 장치

차단-꺼짐 상태

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
R3708FC45	4500	4500	4600

V RRM = 반복적 인 피크 역 전압

V DRM

다시 P = V etiti E P eak O FF 상태 VO LTA g E

V RSM = N o n 재 P etiti V 전자 P는 eak V 재 ERSE VO LTA g E (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage	IRRM / IDRM	200 mA (3)
Critical rate of voltage rise	dV/dt (4)	200 V/μsec

실시 중-상태

파형 에 80 % 정격 V DRM . 문 열다. 티제이 = 125 o C.

(5) 비 반복 값.

(6) 그만큼 값 의 di / dt 설립 에 에 따라 EIA / NIMA 표준 RS-397, 부분

5-2-2-6. T h를 전자 값 한정된 할 것이다 있다 에 첨가 에 그 획득 ...에서 ㅏ 스 너버 회로, co m p 상승 ㅏ 0.2 μF 콘덴서 과 20 아 m의 저항 에 평행 와 그만큼 사이리스터 테스트 중.

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		3708		A	Sinewave,180o conduction,TS=55oC
RMS value of on-state current	ITRMS		7364		A	TS=25oC
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current	ITSM		50000		A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
I square t	I2t		12.5x106		A2s	10.0 msec
Latching current	IL		1000		mA	VD = 12 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		450		mA	VD = 12 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.1		V	ITM = 4000 A; Duty cpstcle ≤ 0.01% Tj = 125 oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		250		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V

전기 같은 형질 과 등급 R3708FC45 - 어 w 포 일 예 ristor

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		15		A
Gate current required to trigger all units	IGT	30	300 200 125		mA mA mA	VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT	0.30	5 3		V V V	VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		15		V

D 및 y NAMIC

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	td			2.5	μs	ITM = 50 A; VD = 1500 V Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 μs; tp = 20 μs
Turn-off time (with VR = -50 V)	tq			250	μs	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us
Reverse recovery current	Irr				A	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V

열의 과 기계 형질 과 등급

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+140		oC
Thermal resistance - junction to sink	RΘ (j-s)		0.0075 0.0150		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	P	98	113		kN
Weight	W			2.7	Kg.