YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> BI 방향 사이리스터 (Triac)> 12A 800V BT138-800E 낮은 유지 및 래칭 전류가있는 TO-220C TRIAC
12A 800V BT138-800E 낮은 유지 및 래칭 전류가있는 TO-220C TRIAC
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$0.13600-19999 Piece/Pieces

$0.1≥20000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Air
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-BT138-800E

상표yzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)12A

VDRM/VRRM600/800V

VTM≤1.6V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM120A

I2t45A2s

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
사진 예 :
다운로드 :
Triac BT138-800E to220
제품 설명

BT138 시리즈 12A 트리 악

YZPST-BT138-800E

설명

낮은 보유 및 래칭 전류로 BT138

시리즈 트라이어는 특히 권장됩니다

중간 및 작은 저항 유형 전력에 사용하십시오

짐.

YZPST-BT138-800E


기본 특징:

symbol

value

unit

IT(RMS)

12

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.6

V

순수한 최고 등급 :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800

V

RMS on-state current

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

120

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

45

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT) - - 50
dI/dt 10 A/ μs
Peak gate current IGM 2 A
Average gate power dissipation PG(AV) 0.5 W
Peak gate power PGM 5 W

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25 )

3 사분면

Parameter Value
Test Condition Quadrant SW CW BW Unit
IGT 10 35 50 mA
VGT VD=12V, RL=33Ω - - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM Tj=125 - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 10 40 60 mA
- 30 50 70
IL IG=1.2IGT MAX 40 60 80 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125
dV/dt Gate open MIN 200 500 1000 V/ µs

4 사분면

Parameter Value
Test Condition Quadrant D E F G Unit
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ 5 10 25 50
IGT 10 25 70 100 mA
VGT VD=12V, RL=33Ω Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 10 20 40 60 mA

패키지 기계적 데이터

TO-220C

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苏ICP备05018286号-1
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