600A BTA208S-600B TO-220 TRIAC 범용 AC 스위칭에 적합합니다.

600A BTA208S-600B TO-220 TRIAC 범용 AC 스위칭에 적합합니다.

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모형: YZPST-BTA208S-600B

상표: yzpst

Place Of Origin: China

IT(RMS): 8A

VDRM/VRRM: 600/800V

IGT: ≤10mA

ITSM T=20ms: 65A

ITSM T= 16.7ms: 71A

I2t: 21A2S

Di/dt: 100A/μs

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판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드

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BTA208 트리 악

YZPST-BTA208S-600B

제외 :
분리 유리 패시베이션으로 인해이 장치는 좋습니다.
DV/DT의 성능 및 신뢰성. TRIAC 시리즈는 범용 AC 스위칭에 적합합니다. 그들은 온 오프로 사용할 수 있습니다
정적 릴레이, 난방 조절과 같은 응용 분야의 기능 또는 조명 조광기의 위상 제어 작동, 모터 속도
컨트롤러.

TO-220

주요 특징

Symbol	Value	Unit
IT(RMS)	8	A
VDRM/VRRM	600/800	V
IGT	≤10	mA

절대 최대 I Mum 등급

Symbol	PARAMETER		Value	Unit
IT(RMS)	RMS on-state current(full sine wave)	TO-220.Non-Ins TC≤102℃	8	A
	Non repetitive surge peak on-state current	t=20ms	65
ITSM	(full sine wave, Tj=25℃)	t= 16.7ms	71	A
I2t	I2t Value for fusing	t= 10ms	21	A2S
di/dt	Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering	ITM = 12 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us	100	A/μs
IGM	Peak gate current	—	2	A
VGM	Peak gate voltage	—	5	W
PGM	Peak gate power	—	5	W
PG(AV)	Average gate power	over any 20 ms period	0.5	W
Tstg	Storage junction temperature range	-40 to +150		℃
Tj	Operating junction temperature range	125		℃

전기적 특성 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25。C)

정적 특성

Symbol				Value
Symbol	Parameter	Test Condition	Quadrant	MIN	TYPE	MAX	Unit
IGT	Gate trigger current	VD= 12V, IT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	10	mA
		VD= 12V, IT=0. 1A		-	0.7	1.5
VGT	Gate trigger voltage	VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C		0.25	0.4	-	V
VT	On-state voltage	IT= 10A		-	1.3	1.65	V
IH	Holding current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	60	mA
			Ⅰ-Ⅲ	-	-	60	mA
IL	Latching current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅱ	-	-	90	mA
ID	Off-state leakage current	VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C		-	0.1	0.5	mA

동적 특성

Symbol			Value
	Parameter	Test Condition	MIN	TYPE	Unit
dVD/dt	Critical rate of rise of off- state voltage	VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 ˚C	1000	4000	V/us
		exponential waveform; gate open circuit
dIcom/dt	Critical rate of change of commutating current	VDM = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS) = 8 A; without snubber; gate open circuit		14	A/ms
T	Gate controlled turn-on time	ITM = 12 A; VD = VDRM(max) ; IG = 0. 1 A; dIG/dt = 5 A/µs		2	us
tgt