전류 충격 저항의 높은 능력 800V BT152X-800R TRIAC TO-220F
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인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Land,Air |
포트: | SHANGHAI |
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모형: YZPST-BT152X-800R
상표: yzpst
Place Of Origin: China
IT (RMS): 20A
VRRM: 800V
IT(AV): 13A
ITSM: 200A
IGM: 4A
PGM: 5W
PG(AV): 1W
Tstg: -40--+150℃
Tj: -40--+125℃
BT152-600R/800R
전류 충격 저항의 높은 능력 800V BT152X-800R TRIAC TO-220F
YZPST-BT152X-800R
● 제품 기능
실리콘 일방적 장치 NPNP 4 층 구조,
확산 분리를 통한 P+,
단일 메사 구조 (단일 메사),
테이블 유리 수파화 과정,
후면 (양극) 전극 금속 : ti-ni-ag
현재 충격 저항의 높은 능력
● 주요 목적
전류 스위치를 번갈아 가며
AC DC 전원 변환기,
전기 난방 제어
운동 속도 제어
● 패키지
TO-220M1 TO-220F
주요 기능 (TJ = 25 ℃)
Symbol | Value | Unit |
IT (RMS) | 20 | A |
VDRM VRRM | 600/800 | V |
IGT | ≤200 | uA |
절대 등급 (값 제한)
Symbol | Parameter | Value | Unit |
IT (RMS) | RMS on-state current (180 °conduction angle) | 20 | A |
IT(AV) | AV on-state current (180 °conduction angle) | 13 | A |
ITSM | Non repetitive surge peak on-state | 200 | A |
Current (tp=10ms) | |||
IGM | Peak gate current(tp=20us) | 4 | A |
PGM | Peak gate power | 5 | W |
PG(AV) | Average gate power | 1 | W |
Tstg | Storage temperature | 110 | ℃ |
Tj | Operating junction temperature | 85 |
열 저항
Symbol | Parameter | Value | Unit | |
TO-220M1 | 2.2 | |||
Rth (j-c) | Junction to case | TO-220F | 2.5 | ℃/W |
전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25 ℃)
Symbol | Test Conditions | Value | Unit | |||
Min | Type | Max | ||||
IGT | VD=12V, RL=33Ω | ---- | 5 | 25 | mA | |
VGT | VD=12V, RL=33Ω | ----- | ----- | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
IH | IT=500mA | ----- | ----- | 30 | mA | |
IL | IG=1.2IGT | ----- | ----- | 60 | mA | |
dV/dt | VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃ | 500 | v/ μs | |||
----- | ----- | |||||
VTM | IT=30A,tp=380 μs | ----- | ----- | 1.6 | V | |
dI/dt | IG=2IGT | 50 | ----- | ----- | A/μs | |
I2T | Tp=10ms | ----- | ----- | 200 | A2S | |
Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
IDRM | VD=VDRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
IRRM | VR=VRRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
패키지 측정
((----220F)))
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