위상 제어를위한 1600V 고전력 사이리스터 어셈블리

$3101-19 Piece/Pieces

$230≥20Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-KP641-16E

상표: YZPST

V RRM: 1600v

V DRM: 1600v

I T(AV): 641a

I TSM: 9900a

I RRM: 30ma

I DRM: 30ma

V TM: 1.5v

Threshold Voltage V T(TO): 0.99v

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 정전기 방지 포장 2. 판지 상자 3. 플라스틱 보호 포장

제품 설명

고출력 THYRISTOR 어셈블리

위상 제어 애플리케이션 용

유형 : YZPST-KP641 / 16E

전기적 특성 및 등급

Parameter	Symbol	Maximu m Limits	Units	Conditions
Repetitive peak reverse voltage	V RRM	1600	V
Repetitive peak off state voltage	V DRM	1600	V
Average value of on-state current	I T(AV)	641	A	Sinewave,180 ^o conduction,T sink =70 ℃
Peak one cycle surge (non repetitive) current	I TSM	9900	A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-shape, 180 o conduction, T j = 125 ℃
	I RRM	30	mA	Tj = 125 ℃
	I DRM	30	mA	Tj = 125 ℃
Peak on-state voltage	V TM	1.5	V	Tj = 125 ℃ ITM=1000A
Threshold voltage	V T(TO)	0.99	V	T j =1 25 ℃
Slope resistance	r T	0.52	mΩ	T j =1 25 ℃
Average gate power dissipation	P G(AV)	3	W
Gate current	I GT	300	mA	V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = +25 ℃
Gate voltage	V GT	3.5	V	V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = 0-125 ℃
Latching current	I L	1000	mA	V D = 24 V; R L = 12 ohms
Holding current	I H	300	mA	V D = 24 V; I = 2.5 A
Critical rate of voltage rise	dV/dt	1000	V/s	VD=2/3VDRM
Critical rate of rise of on-state current	di/dt	200	A/ s	Switching from V DRM 1000 V, non-repetitive
Operating temperature	T	-30-125	℃
Storage temperature	T stg	-30-125	℃