하나의 나사 장착 800V 티리 스터 모듈

$10.51-19 Piece/Pieces

$7.5≥20Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-SK70KQ08

상표: yzpst

신청: 고주파, 현재 미러

공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 다른

참고 자료: 데이터 시트, 사진, 다른

포장 종류: 표면 실장, 관통 구멍

설치 방법: 구멍을 통해, 표면 실장

FET 기능: 실리콘 카바이드 (SiC), 표준, 슈퍼 정션, GaNFET (질화 갈륨), 해당 없음

구성: 단일, T 형, 단일 스위치, 해당 없음

VRRM/VDRM Tvj=125℃: 800V

VRSM/VDSM Tvj=125℃: 900V

IRRM/IDRM Tvj=125℃: 5mA

IT(AV) TC=85℃: 55A

IT(RMS) TC=85℃, Sin180°: 80A

ITSM 10ms, Tj=25℃: 1100A

I2t: 6050A2S

VTM: 1.7V

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
다운로드	:

제품 설명

yzpst-sk70kq08

70A 800V 사이리스터 모듈

ROHS 준수

제품 기능 s

소형 디자인

하나의 나사 장착

DBC를 통한 열 전달 및 분리

유리 패시리스트 사이리스터 칩

낮은 누출 전류

앱 li cat i on s

소프트 스타터

온도 제어

가벼운 제어

a bs o l u te m a x i m u m r a t i ng s (달리 명시되지 않는 한 tc = 25 ° C)

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
VRRM	Maximum Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃	800	V
VDRM	Maximum repetitive peak off-state voltage	Tvj=125℃	800	V
VRSM	Non-Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃		V
VDSM	Non-repetitive peak off-state voltage	Tvj=125℃	900	V
IRRM	Maximum Repetitive Reverse Current	Tvj=125℃	5	mA
IDRM	Maximum repetitive peak off-state Current	Tvj=125℃	5	mA
IT(AV)	Mean On-state Current	TC=85℃	55
IT(RMS)	RMS Current	TC=85℃, sin180°	80	A
ITSM	Non Repetitive Surge Peak On-state Current	10ms, Tj=25℃	1100
I2t	For Fusing	10ms, Tj=25℃	6050	A2S
VTM	Peak on-state voltage	ITM=150A	1.7	V
dv/dt	critical rate of rise of off-state voltage	VD =2/3VDRM Gate Open Tj=125℃	1000	V/us
IGT	gate trigger current max.		80	mA
VGT	gate trigger voltage max.		1.5	V
IH	gate trigger current		200	mA
IL	latching current		500	mA
Viso	AC 50Hz RMS 1min		2500	V
TJ	Junction Temperature		-40 to +125	℃
TSTG	Storage Temperature Range		-40 to +125	℃
RthJC	Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip )		0.7	℃ /W
Torque	mounting force, Module to Sink		2.5	Nm
Tsolder	Teminals,10s		260	℃