$5510-199 Piece/Pieces
$45≥200Piece/Pieces
| 지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
| 인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
| 수송: | Ocean,Air |
| 포트: | SHANGHAI |
모형: YZPST-SP50N80FX
상표: yzpst
공급 유형: 원래 제조업체, ODM, 대리점, 소매상
참고 자료: 데이터 시트, 사진
구성: 정렬
현재 분석: 해당 없음
전류 유지 (Ih) (최대): 해당 없음
전류 꺼짐 상태 (최대): 해당 없음
SCR 번호, 다이오드: 해당 없음
작동 온도: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
SCR 유형: 표준 복구
구조: 해당 없음
전압 켜기: 해당 없음
전압 게이트 트리거 (Vgt) (최대): 해당 없음
전류 출력 (최대): 해당 없음
VDSS: 800V
ID: 50A
IDM: 200A
VGSS: ±30V
EAS: 4500mJ
EAR: 60mJ
P: 690w
TJ, Tstg: -55~+150ºC
| 판매 단위 | : | Piece/Pieces |
| 사진 예 | : |
|
| 다운로드 | : |
|
800V N- 채널 전력 MOSFET
yzpst-sp50n80fx
특징
빠른 전환
100% 눈사태 테스트
DV/DT 기능 향상
응용 프로그램
스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP)
무정전 전원 공급 장치 (UPS)
전력 계수 보정 (PFC) 
|
Device Ordering Marking Packing Information |
|||
|
Ordering Number |
Package |
Marking |
Packing |
|
SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Tube |
|
Absolute Maximum Ratings TC = 25ºC, unless otherwise noted |
|||
|
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
|
Drain-Source Voltage (VGS = 0V) |
VDSS |
800 |
V |
|
Continuous Drain Current |
ID |
50 |
A |
|
Pulsed Drain Current (note1) |
IDM |
200 |
A |
|
Gate-Source Voltage |
VGSS |
±30 |
V |
|
Single Pulse Avalanche Energy (note2) |
EAS |
4500 |
mJ |
|
Repetitive Avalanche Energy (note1) |
EAR |
60 |
mJ |
|
Power Dissipation (TC = 25ºC) |
PD |
690 |
W |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ, Tstg |
-55~+150 |
ºC |
|
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. |
|||
|
Thermal Resistance |
|||
|
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
|
Thermal Resistance, Junction-to-Case |
RthJC |
0.18 |
ºC/W |
|
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient |
RthJA |
40 |
|
|
Specifications TJ = 25ºC, unless otherwise noted |
||||||
|
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Value |
Unit |
||
|
Min. |
Typ. |
Max. |
||||
|
Static |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
V(BR)DSS |
VGS = 0V, ID = 250µA |
800 |
-- |
-- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS =800, VGS = 0V, TJ = 25ºC |
-- |
-- |
1.0 |
μA |
|
Gate-Source Leakage |
IGSS |
VGS = ±30V |
-- |
-- |
±100 |
nA |
|
Gate-Source Threshold Voltage |
VGS(th) |
IDS = 250µA |
2.5 |
-- |
4.5 |
V |
|
Drain-Source On-Resistance (Note3) |
RDS(on) |
VGS = 10V, ID = 25A |
-- |
120 |
130 |
mΩ |
|
Dynamic |
||||||
|
Input Capacitance |
Ciss |
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz |
-- |
14600 |
-- |
pF |
|
Output Capacitance |
Coss |
-- |
1300 |
-- |
||
|
Reverse Transfer Capacitance |
Crss |
-- |
66 |
-- |
||
|
Total Gate Charge |
Qg |
VDD =400V, ID =50A, VGS = 10V |
-- |
360 |
-- |
nC |
|
Gate-Source Charge |
Qgs |
-- |
80 |
-- |
||
|
Gate-Drain Charge |
Qgd |
-- |
120 |
-- |
||
|
Turn-on Delay Time |
td(on) |
VDD = 400V, ID =50A, RG = 10 Ω |
-- |
110 |
-- |
ns |
|
Turn-on Rise Time |
tr |
-- |
200 |
-- |
||
|
Turn-off Delay Time |
td(off) |
-- |
160 |
-- |
||
|
Turn-off Fall Time |
tf |
-- |
185 |
-- |
||
|
Drain-Source Body Diode Characteristics |
||||||
|
Continuous Body Diode Current |
IS |
TC = 25 ºC |
-- |
-- |
50 |
A |
|
Pulsed Diode Forward Current |
ISM |
-- |
-- |
400 |
||
|
Body Diode Voltage |
VSD |
TJ = 25ºC, ISD = 25A, VGS = 0V |
-- |
-- |
1.4 |
V |
|
Reverse Recovery Time |
trr |
VGS = 0V,IS = 50A, diF/dt =100A /μs |
-- |
520 |
-- |
ns |
|
Reverse Recovery Charge |
Qrr |
-- |
5.0 |
-- |
μC |
|
메모
1. 반복 등급 : 최대 접합 온도에 의해 제한되는 펄스 폭
2. v dd = 50v, r g = 25 Ω, 시작 t j = 25 ºC
펄스 테스트 : 펄스 폭 ≤ 300μs, 듀티 사이클 ≤ 1%
전화 번호: 86-514-87782298
Whatsapp: +8613805278321
회사 주소: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
웹 사이트: https://kr.yzpst.com
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Contact Now