IGBT 칩 75A 1200V IGBT 모듈

YZPST-75HF120TK-G1

75A 1200V IGBT 모듈

특징
높은 단락 회로 기능, 자체 제한 단락 전류

높은 단락 회로 기능, 자체 제한 단락 전류

IGBT 칩 (트렌치+ 필드 스톱 기술)

포스트 온도가 있는 VCE ( s at )

빠른 스위칭 및 짧은 꼬리 전류, 낮은 스위칭 손실

빠르고 소프트 리버스 복구가있는 무료 휠링 다이오드

온도 감각 포함

응용 프로그램

고주파 스위칭 응용 프로그램

용접 변환기

모션/서보 컨트롤

UPS 시스템

절대 최대 값 등급 달 다르지 않으면 t c = 25 ° C 지정되었습니다

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
IGBT
VCES	Collector - Emitter Voltage	TVj=25°C	1250	V
VGES	Gate - Emitter Voltage		±30	V
IC	DC Collector Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Repetitive Peak Collector Current	tp=1ms	150	A
Ptot	Power Dissipation Per IGBT		500	W
Diode
VRRM	Repetitive Reverse Voltage	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Average Forward Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Repetitive Peak Forward Current	tp=1ms	150	A
I2t		TVj =125°C, t=10ms, VR=0V	2810	A2s

모듈 특성

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
TVj max	Max. Junction Temperature				150	°C
TVj op	Operating Temperature		-40		150	°C
Tstg	Storage Temperature		-40		125	°C
Visol	Insulation Test Voltage	AC, t=1min		3000		V
Torque	To-Sink	Recommended M6	3		5	N·m
Torque	To-Terminal	Recommended M5	2.5		5	N·m
Weight				176		g

패키지 개요