YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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제품 속성

모형YZPST-FQP3P50

상표yzpst

원산지중국

VDSS-500V

VGSS±30V

ID Tc=25℃-2.7A

ID Tc= 100℃-1.71A

IDM-10.8A

Ptot85W

Tj150℃

Tstg-55-150℃

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상자 박스 3. 브레이드
사진 예 :
다운로드 :
MOSFET FQP3P50 TO220
제품 설명
FQP3P50 MOSFET
P/N : YZPST-FQP3P50
제외 :
FQP3P50은 P 채널 향상 모드 전력입니다
MOSFET. 이 Power MOSFET은 일반적으로 고속으로 사용됩니다
스위칭 스위치 모드 전원 공급 장치, 오디오 앰프 DC

모터 제어 및 가변 스위칭 전원 응용 프로그램.

YZPST-FQP3P50 TO-220

절대 최대 I Mum 등급

Symbol Parameter Value Unit
VDSS Drain-Source Voltage -500 V
VGSS Gate-Source Voltage ±30 V
Tc=25 -2.7 A
ID Continuous Drain Current Tc= 100 -1.71 A
IDM Pulsed Drain Current -10.8 A
Ptot Power Dissipation (TC=25°C) To-220C 85 W
Tj Junction Temperature 150
Tstg Operation and Storage Temperature -205
EAS Avalanche Energy 250 mJ

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TC = 25 ° C)

Symbol Parameter Test Condition Value Unit
Min Type Max
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID=- 250μA -500 V
VDS=-500V ,VGS=0V -1 uA
IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=-400V,VGS=0V    -100 uA
Tc=125
IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= ±30V ±100 nA
VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS,ID= - 250uA -3 -5 V
RDS(ON) Static Drain-Source On-State Resistance VGS= -10V ID= -1A 5 Ω
BVDSS / ∆TJ Breakdown Voltage Temperature Coefficient ID = -250 µA, 0.42 V/

Yzpst Fqp3p50 To 220 Jpg

苏ICP备05018286号-1
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