N- 채널 강화 모드 TO-247 MOSFET

$2.1100-999 Piece/Pieces

$1.55≥1000Piece/Pieces

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-STW20NM60

상표: yzpst

원산지: 중국

VDSS: 600V

IDM: 78A

VGS: ±30A

EAS: 1284mJ

EAR: 97mJ

TSTG,TJ: -55~+150℃

포장 및 배송

제품 설명

Pro Misin g chi p yzpst-stw20nm60

N- 채널 강화 모드는 247입니다 MOSFET

특징

l 높은 러그 Dness

l lo w r ds (on) (유형 0.22) @v gs = 10V

L 낮은 가구 테크 ( te cha rge ) (유형 84NC)

엘 개선하다 디 DV/DT CA 아빠 효율

엘 100% 아바 라 NCHE 테 에스 테 디

엘 앱 LICA Tion : UPS ,, 요금, PC 힘 , 인버터

이 Power Mosfet은 유망한 고급 기술로 생산됩니다. 칩.

이것 기술 ~할 수 있게 하다 그만큼 힘 MOSFET 에게 가지다 더 나은 형질, 포함 빠른 전환 시각, 낮은 ~에 저항, 낮은 게이트 충전 및 특히 뛰어난 눈사태 형질.

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDSS	Drain to source voltage	600	V
ID	Continous drain current(@Tc=25℃)	20*	A
ID	Continous drain current(@Tc=100℃)	12*	A
IDM	Drain current pulsed	78	A
VGS	Gate to source voltage	±30	V
EAS	Single pulsed avalanche energy	1284	mJ
EAR	Repetitive pulsed avalanche energy	97	mJ
dv/dt	Peak diode recovery dv/dt	5	V/ns
PD	Total power dissipation(@Tc=25℃)	42.3	W
PD	Derating factor above 25℃	0.32	W/℃
TSTG,TJ	Operating junction temperature & storage temperature	-55~+150	℃
TL	Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second	300	℃