1500V N- 채널 전력 MOSFET
$2.15100-999 Piece/Pieces
$1.85≥1000Piece/Pieces
지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Air |
포트: | SHANGHAI |
$2.15100-999 Piece/Pieces
$1.85≥1000Piece/Pieces
지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Air |
포트: | SHANGHAI |
모형: YZPST-FM3N150C
상표: yzpst
원산지: 중국
Vdss: 1500V
ID Continuous (Tc = 25 °C ): 1.8A
ID Continuous ( Tc = 100 °C ): 1.2A
Idm: 12A
Vgss: ±30V
EAS: 225mJ
Dv/dt: 5V/ns
1500V N- 채널 MOSFET
yzpst-fm3n150c
일반적인 설명
이 Power MOSFET은 고급 자체 정렬 평면 기술을 사용하여 생산됩니다. 이 고급 기술은 특히 현장 저항을 최소화하고, 우수한 스위칭 성능을 제공하며, 눈사태 및 정류 모드에서 고 에너지 펄스를 견딜 수 있도록 조정되었습니다.
이 장치는 시스템 소형화 및 더 높은 효율을 위해 다양한 전력 스위칭 회로에 사용될 수 있습니다.
특징
3A, 1500V, RDS (ON) TYP. = 5q@vgs = 10 v ld = 1.5a
낮은 게이트 전하 (일반 9.3NC)
낮은 게이트 전하 (일반 2.4pf)
빠른 전환
100% 눈사태 테스트
달리 명시되지 않는 한 절대 최대 등급 TC = 25 ° C
Symbol | Parameter | JFFM3N150C | Units | |
Vdss | Drain - Source Voltage | 1500 | V | |
Id | Drain Current | Continuous (Tc = 25 °C ) | 1.8 | A |
Continuous ( Tc = 100 °C ) | 1.2 | A | ||
Idm | Drain Current - Pulsed ( Note 1) | 12 | A | |
Vgss | Gate - Source Voltage | ±30 | V | |
EAS | Single Pulsed Avalanche Energy ( Note 2 ) | 225 | mJ | |
dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt ( Note 3 ) | 5 | V/ns | |
Pd | Power Dissipation (Tc = 25 °C ) | 30 | W | |
Tj,Tstg | Operating and Storage Temperature Range | -55 to +150 | °C | |
Tl | Maximum lead temperature for soldering purposes | 300 | °C | |
1/8 frome case for 5 seconds |
열 특성
Symbol | Parameter | JFFM3N150C | Units |
Raic | Thermal Resistance, Junction-to-Case | 4.1 | °C/W |
Rqja | Thermal Resistance, Junction-to-Ambient | 62.5 | °c/w |
달리 명시되지 않는 한 전기 특성 TC = 25 ° C
Symbol | Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
Off Characteristics | ||||||
BVdss | Drain - Source Breakdown Voltage | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | V | ||
/ BVdss/ | Breakdown Voltage Temperature Coefficient | Id = 250 uA, Referenced to | -- | 1.3 | -- | v/°c |
Tj | 25 °C | |||||
Zero Gate Voltage Drain Current | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | 25 | uA | |||
Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 °C | -- | -- | 500 | uA | |
Igssf | Gate-Body Leakage Current, Forward | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
Igssr | Gate-Body Leakage Current, Reverse | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
On Characteristics | ||||||
VGS(th) | Gate Threshold Voltage | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
RDS(on) | Static Drain-Source on-Resista nee | Vgs = 10 V, Id= 1.5A | — | 5 | 8 | Q |
gFS | Forward Transconductance | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Note | -- | 4.5 | -- | S |
4) | ||||||
Dynamic Characteristics | ||||||
Ciss | Input Capacitance | Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
Coss | Output Capacitance | 1.0 MHz | — | 104 | — | pF |
Crss | Reverse Transfer Capacitance | — | 2.4 | — | pF | |
Rg | Gate resistance | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
Switching Characteristics | ||||||
td(on) | Turn-On Delay Time | 34 | ns | |||
tr | Turn-On Rise Time | Vds = 750 V, Id=3.0A/ Rg = | 17 | ns | ||
td(off) | Turn-Off Delay Time | 100 , Vgs = 10 V (Note 4,5) | 56 | ns | ||
tf | Turn-Off Fall Time | 27 | ns | |||
Qe | Total Gate Charge | Vds = 750 V, Id =3.0 A Vgs = | 9.3 | nC | ||
Qgs | Gate-Source Charge | 10 V (Note 4,5) | 15 | nC | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | 5.3 | nC | |||
Drain - Source Diode Characteristics and Maximum Ratings | ||||||
Is | Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current | 3 | A | |||
Ism | Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current | 12 | A | |||
Vsd | Drain-Source Diode Forward Voltage | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | 1.5 | V | ||
trr | Reverse Recovery Time | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | 302 | ns | ||
Qrr | Reverse Recovery Charge | dlF/dt = 100 A/us ( Note | -- | 10 | -- | uC |
4) |
메모:
1. 반복 등급 : 최대 접합 온도에 의해 제한되는 펄스 폭
2. l = lo.omh, IAS = 6.7a, rg = 25q, statingtj = 25 ° C
3. ISD <3.0a z di/dt <looa/us, vdd <bvdss, 시작 tj = 25 ° C
4. 펄스 테스트 : 펄스 너비 <3oous z 듀티 사이클 < 2%
5. 본질적으로 작동 온도와 무관합니다
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.