YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> BI 방향 사이리스터 (Triac)> 높은 정류 성능 6A BTA06 600SW TRIAC T0-220
높은 정류 성능 6A BTA06 600SW TRIAC T0-220
높은 정류 성능 6A BTA06 600SW TRIAC T0-220
높은 정류 성능 6A BTA06 600SW TRIAC T0-220
높은 정류 성능 6A BTA06 600SW TRIAC T0-220
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높은 정류 성능 6A BTA06 600SW TRIAC T0-220

$0.115000-9999 Piece/Pieces

$0.09≥10000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Others
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-BTA06-600SW

상표yzpst

원산지중국

IT(RMS)6A

VDRM/VRRM600/800V

VTM≤1.5V

Tstg-40~150℃

ITSM60A

I2 T18A 2s

DI/dt50A/μs

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
다운로드 :
TRIAC BTA06-600SW TO-220
제품 설명

YZPST-BTA06-600SW

높은 정류 성능 6A BTA06 600SW TRIAC T0-220

BTA 0 6/ BTB 06 시리즈 6 A 트리 악

설명:
큰 전류의 충격을 견딜 수있는 능력이 높기 때문에 BTA06/BTB06 시리즈 트리엄은 전자기 인터페이스에 대한 강한 저항력으로 높은 DV/DT 속도를 제공합니다.
정류 성능이 높은 3 개의 사분면 제품은 특히 유도 부하에 사용하기 위해 권장됩니다. 3 개의 터미널에서 외부 히트 싱크까지 BTA06은 UL 표준을 준수하는 2500 VRM의 정격 단열 전압을 제공합니다.

TO-220A


주요 특징:

symbol

value

unit

IT(RMS)

6

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤ 1.5

V

절대 최대 등급 :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

C

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

C

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C)

VDRM

600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C)

VRRM

600/800

V

RMS on-state current

IT(RMS)

6

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

60

 

A

제품 데이터 시트

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

18

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT)

dI/dt

50

A/μs

Peak gate current

IGM

2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25C)

3 사분면

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0 2 V
IH IT=100mA MAX 6 10 35 60 mA
- 10 15 50 70 mA
IL IG=1.2IGT MAX 15 25 60 80 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125C Gate open
dV/dt MIN 50 100 500 1000 Vs

4 사분면

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 40 60 mA
IL IG=1.2IGT --  MAX 50 70 mA

저항

Symbol Test Condition Value Unit
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-251-4R/ TO-252-4R 2.8 C/W
TO-220A(Ins) 3.4
TO-220B(Non-Ins) 2.2
TO-220F(Ins) 3.2

TO-220A Ins

苏ICP备05018286号-1
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