$0.165000-19999 Piece/Pieces
$0.13≥20000Piece/Pieces
| 지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
| 인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
| 수송: | Ocean,Land,Express |
| 포트: | SHANGHAI |
모형: YZPST-BTA16-600CW
상표: yzpst
Place Of Origin: China
IT(RMS): 16A
VDRM: 600V
VRRM: 600V
VTM: ≤ 1.5v
Tstg: -40~150℃
Tj: -40~125℃
ITSM: 160A
| 판매 단위 | : | Piece/Pieces |
| 포장 종류 | : | 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드 |
| 다운로드 | : |
|
BTA 1 6/ BTB 16 (BT 13 9) 시리즈 16 Atriacs
YZPST-BTA16-600CW
큰 전류의 충격을 견딜 수있는 능력이 높기 때문에 BTA16/BTB16 시리즈 트리엄은 전자기 인터페이스에 대한 강한 저항력으로 높은 DV/DT 속도를 제공합니다.
통근 성능이 높은 3 개의 사분면 제품은 특히 유도 부하에 사용하기 위해 권장됩니다. 3 개의 터미널에서 외부 히트 싱크까지 BTA16은 UL 표준을 준수하는 2500 VRM의 정격 단열 전압을 제공합니다.
주요 기능 :
|
symbol |
value |
unit |
|
IT(RMS) |
16 |
A |
|
VDRM/VRRM |
600/800/ 1200 |
V |
|
VTM |
≤ 1.5 |
V |
절대 최대 등급 :
|
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
|
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
|
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
|
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C) |
VDRM |
600/800/ 1200 |
V |
|
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C) |
VRRM |
600/800/ 1200 |
V |
|
RMS on-state current |
IT(RMS) |
16 |
A |
|
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM
|
160
|
A
|
|
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
128 |
A2s |
|
Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT) |
dI/dt |
50 |
A/μs |
|
Peak gate current |
IGM |
4 |
A |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
|
Peak gate power |
PGM |
5 |
W |
전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 TJ = 25C)
3 사분면 ：
| Parameter | Value | |||||||
| Test Condition | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unit | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | A | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0 2 | V | |||
| IH | IT=100mA | MAX | 15 | 25 | 40 | 60 | A | |
| Ⅰ-Ⅲ | 20 | 30 | 50 | 70 | m | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 40 | 60 | 90 | A |
| VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open | ||||||||
| dV/dt | MIN | 100 | 200 | 500 | 1000 | V/µs | ||
4 사분면 ：
| Parameter | Value | |||||
| Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | A | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | A | |
| VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | A | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 50 | 70 | m | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 70 | 90 | A |
| VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open | ||||||
| dV/dt | MIN | 200 | 500 | V/µs | ||
정적 특성
| Symbol | Test Condition | Value | Unit | ||
| VTM | ITM=22.5A tp=380μs | Tj=25C | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25C | 5 | A | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj=125C | MAX | 1 | A |
열 저항
| Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
| Rth(j-c) | TO-220A(Ins) | 2.1 | ℃/W | |
| TO-220B(Non-Ins) | 1.3 | |||
| TO-220F(Ins) | 2.3 | |||
| junction to case(AC) | TO-263 | 2.4 | ||
전화 번호: 86-514-87782298
Whatsapp: +8613805278321
회사 주소: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
웹 사이트: https://kr.yzpst.com
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