YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> BI 방향 사이리스터 (Triac)> BT136 시리즈 4A TRIAC가 낮은 유지 및 래칭 전류
BT136 시리즈 4A TRIAC가 낮은 유지 및 래칭 전류
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$0.086000-19999 Piece/Pieces

$0.06≥20000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Land,Ocean,Express,Others
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-BT136

상표yzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)4A

VDRM/VRRM600/800V

VTM≤1.7V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM25A

I2t3.1A2s

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상자 박스 3. 브레이드
제품 설명
P/N : YZPST-BT136 시리즈 4A TRIACS
설명:

보류 및 래칭 전류가 적을수록 BT136 시리즈 트리엄은 특히 중간 및 작은 저항 유형 전력 하중에 사용하는 것이 좋습니다.

YZPST-BT136 TO-220


기본 특징:

symbol

value

unit

IT(RMS)

4

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.7

V

순수한 최고 등급 :

Parameter Symbol Value Unit
Storage junction temperature range Tstg -40~150
Operating junction temperature range Tj -40~125
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25) VDRM 600/800 V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25) VRRM 600/800 V
RMS on-state current IT(RMS) 4 A
Non repetitive surge peak on-state current
(full cycle, F=50Hz) ITSM 25 A
I2t value for fusing (tp=10ms) I2t 3.1 A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT) - - 50
dI/dt 10 A/ μs
Peak gate current IGM 2 A
Average gate power dissipation PG(AV) 0.5 W
Peak gate power PGM 5 W

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 tj = 25 )

Parameter Value
Test Condition Quadrant T D E Unit
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ 5 5 10
IGT VD=12V, 5 10 25 mA
VGT RL=33Ω Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 5 10 20 mA
Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ 8 10 20
IL IG=1.2IGT MAX 12 15 35 mA
VD=0.66×VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 10 20 50 V/ µs

정적 특성

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=5A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.7 V
IDRM Tj=25 5 µA
IRRM VDRM= VRRM Tj= 125 MAX 0.5 mA


열의 저항

Symbol Test Condition Value Unit
TO-252-4R 2.8
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-220B(Non-Ins)/ TO-220C 2.6 /W

패키지 기계적 데이터

TO-220B

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