더 높은 시스템 효율 N- 채널 SIC MOSFET to247-4L
$3650-499 Piece/Pieces
$32≥500Piece/Pieces
지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Land |
포트: | SHANGHAI |
$3650-499 Piece/Pieces
$32≥500Piece/Pieces
지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Land |
포트: | SHANGHAI |
모형: YZPST-M2A016120L
상표: yzpst
원산지: 중국
VDSmax: 1200V
VGSmax: -8/+22V
VGSop: -4/+18V
ID Tc=25℃: 115A
ID Tc=100℃: 76A
ID(pulse): 250A
PD: 582W
TJ, TSTG: -55 to +175℃
N- 채널 SIC 파워 MOSFET P/N : YZPST-M2A016120L SIC MOSFET
특징
저항성이 낮은 높은 차단 전압
커패시턴스가 낮은 고속 스위칭
평행하고 쉽게 운전하기 쉽습니다
이익
더 높은 시스템 효율성
냉각 요구 사항 감소
전력 밀도 증가
시스템 스위칭 주파수 증가
응용 프로그램
재생 에너지
EV 배터리 충전기
고전압 DC/DC 변환기
스위치 모드 전원 공급 장치
패키지
Part Number |
Package |
M2A016120L |
TO-247-4 |
최대 등급 (t c = 25 ℃ UN 이 덜 지정되지 않음)
Symbol | Parameter | Value | Unit | Test Conditions | Note |
VDSmax | Drain-Source Voltage | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
VGSmax | Gate-Source Voltage | -8/+22 | V | Absolute maximum values | |
VGSop | Gate-Source Voltage |
-4/+18 |
V | Recommended operational values | |
ID | Continuous Drain Current | 115 | A | VGS=18V, Tc=25℃ | |
76 | VGS=18V, Tc=100℃ | ||||
ID(pulse) | Pulsed Drain Current | 250 | A | Pulse width tp limited by TJmax | |
PD | Power Dissipation | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
TJ, TSTG | Operating Junction and Storage Temperature | -55 to +175 | ℃ |
Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit | Test Conditions | Note |
V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
VGS(th) | Gate Threshold Voltage | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23mA | |
/ | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23mA, TJ=175℃ | ||||
IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
IGSS+ | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=22V | |
IGSS- | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-8V | |
RDS(on) | Drain-Source On-State Resistance | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18V, ID=75A | |
/ | 28 | / | VGS=18V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
gfs | Transconductance | / | 40.5 | / | S | VDS=20V, ID=75A | |
/ | 37 | / | VDS=20V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
Ciss | Input Capacitance | / | 4300 | / | VGS=0V | ||
Coss | Output Capacitance | / | 236 | / | pF | VDS=1000V | |
Crss | Reverse Transfer Capacitance | / | 35 | / | f=1MHz | ||
Eoss | Coss Stored Energy | / | 136 | / | µJ | VAC=25mV | |
EON | Turn-On Switching Energy | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800V, VGS=-4V/18V | |
EOFF | Turn-Off Switching Energy | / | 1.6 | / | ID=40A, RG(ext)=2.5Ω, L=100μH | ||
td(on) | Turn-On Delay Time | / | 150 | / | |||
tr | Rise Time | / | 38 | / | VDS=800V, VGS=-4V/18V, ID=40A RG(ext)=2.5Ω, RL=20Ω | ||
td(off) | Turn-Off Delay Time | / | 108 | / | ns | ||
tf | Fall Time | / | 35 | / | |||
RG(int) | Internal Gate Resistance | / | 2.3 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
QGS | Gate to Source Charge | / | 60 | / | VDS=800V | ||
QGD | Gate to Drain Charge | / | 44 | / | nC | VGS=-4V/18V | |
QG | Total Gate Charge | / | 242 | / | ID=40A |
패키지 치수
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.