높은 DV/DT 속도 BTA26-600BW TO-3PA 600V TRIAC

높은 DV/DT 속도 BTA26-600BW TO-3PA 600V TRIAC

Name: TRIAC BTA26-600BW TO-3PA 15-30MA
Uploaded: 2023-08-02T08:36:02+08:00
Description: TRIAC BTA26-600BW TO-3PA 15-30MA

$0.71000-4999 Piece/Pieces

$0.55≥5000Piece/Pieces

지불 유형:	L/C,T/T,Paypal
인 코텀:	FOB,CFR,CIF
수송:	Ocean,Others
포트:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS)：26A
VDRM：600V
VRRM：600V
VTM：≤1.5V
Tstg：-40~150℃
Tj：-40~125℃

지금 연락

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-BTA26-600BW

상표: yzpst

원산지: 중국

IT(RMS): 26A

VDRM: 600V

VRRM: 600V

VTM: ≤1.5V

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 260A

I2t: 350A2s

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
다운로드	:

TRIAC BTA26-600BW TO-3PA 15-30MA



제품 설명

BTA26/BTB26SERIES 26A TRIACS

높은 DV/DT 속도 BTA26-600BW TO-3PA 600V TRIAC

설명:

큰 전류의 충격을 견딜 수있는 능력이 높기 때문에 BTA26/BTB26 시리즈 트리엄은 전자기 인터페이스에 대한 강한 저항력으로 높은 DV/DT 속도를 제공합니다. 정류 성능이 높은 3 개의 사분면 제품은 특히 유도 부하에 사용하기 위해 권장됩니다. 3 개의 터미널에서 외부 히트 싱크까지 BTA26은 UL 표준을 준수하는 2500 VRM의 정격 단열 전압을 제공합니다.

높은 능력 3 사분면 BTA26-600B TO-3PA TRIAC

TO-3PA

주요 특징:

symbol	value	unit
IT(RMS)	26	A
VDRM/VRRM	600/800/1200/1600	V
VTM	≤1.5	V

절대 최대 등급 :

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800/1200/1600	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800/1200/1600	V
RMS on-state current	IT(RMS)	26	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	260	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	350	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs

Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	10	W

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 tj = 25 ℃)

3 사분면 ：

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3		V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	80	mA
		Ⅰ-Ⅲ		70	90
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	80	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	1000	1500	V/ µs

4 사분면 ：

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	75	mA
		Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ		70	80
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	90	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	200	500	V/ µs