YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 모듈 장치> 다이오드 모듈> 저전력 손실 MK5050 Schottky 바이 패스 다이오드 다이오드 모듈
저전력 손실 MK5050 Schottky 바이 패스 다이오드 다이오드 모듈
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저전력 손실 MK5050 Schottky 바이 패스 다이오드 다이오드 모듈

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$0.392000-9999 Piece/Pieces

$0.35≥10000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Air
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-MK5050

상표yzpst

원산지중국

VRRM50V

VRMS35V

VDC50V

I(AV)50A

IFSM400A

TOP-55~+150℃

TJ≤ 200℃

Tstg-55~+150℃

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
사진 예 :
다운로드 :
Schottky Bypass 다이오드 모듈 MK5050
제품 설명
PV의 우회 다이오드 모듈
P/N : YZPST-MK5050
역전 전압 : 50 v
포워드 전류 : 50 a
특징
실리콘 정류기의 금속, 다수의 캐리어 전도
일시적 보호를위한 가드 링
저전력 손실, 고효율
고전류 기능, 낮은 IR
높은 서지 용량
고온 역 특성은 태양 광 태양 세포 보호에 사용하기에 탁월합니다.
기계적 데이터
케이스 : 성형 플라스틱, MT09E
에폭시 : UL 94V-O 속도 불꽃 지연
극성 : 표시된대로
장착 위치 : 누구든지

마킹 : MK5050

YZPST-MK5050

최대 등급 및 전기 특성
달리 명시되지 않는 한 25 ℃의 주변 온도에서의 등급.
단면, 반파, 60Hz, 저항성 또는 유도 부하.
용량 성 부하의 경우, 전류를 20%줄입니다.
Symbols MK5050 Units
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 V
Maximum RMS Voltage VRMS 35 V
Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 V
Maximum Average Forward Rectified Current at TC = 125°C I(AV) 50 A
Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half-sine-wave IFSM 400 A
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward at IF  = s0A, TC  = 25°C at IF  = s0A, TC  =125°C VF 0.55 V
Voltage (Note 1) 0.47
Maximum Reverse Current at TJ=25 IR 0.5 mA
at Rated DC Blocking Voltage TJ=100 500
Typical Thermal Resistance RθJC 1.2 /W
Operating Junction Temperature Range TOP -55 to +150
Junction Temperature in DC Forward Current Without Reverse Bias. T  1 hour (Note 3) TJ  200
Storage Temperature Range Tstg -55 to +150

노트:

1-300us 펄스 폭, 2%듀티 사이클.

2- 케이스에 대한 열 저항 접합. 히트 싱크없이.

3- IEC 61215 Ed의 필수를 만나게됩니다. 2 바이 패스 다이오드 열 테스트.



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