중앙 게이트가있는 2000V 사이리스터 다이오드 모듈 티리스터 칩
$3110-99 Piece/Pieces
$22.5≥100Piece/Pieces
지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Land |
포트: | SHANGHAI |
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모형: YZPST-MCD215-20I01
상표: yzpst
원산지: 중국
VDRM/VRRM: 2000V
VRSM: 2100V
IT(AV): 215A
ITRMS: 340A
(di/dt)cr: 100A/us
티리 스터/다이오드 모듈 YZPST-MCD215-20I01
특징
· 산업 표준 패키지
· 전기 절연베이스 플레이트
· 산화 알루미늄 세라믹을 통한 열 전달
절연 금속베이스 플레이트
· 직접 구리 결합 AL2O3에 납땜 된 칩
세라믹
· 중앙 게이트가있는 사이리스터 칩
VDRM/VRRM |
Tj=25°C |
2000 |
V |
VRSM |
Tj=25°C |
2100 |
V |
최고 등급
Symbol | Condition | Ratings | Unit |
IT(AV) | sin. 180; Tc =85°C, | 215 | A |
ITRMS | sin. 180; Tc =125°C, | 340 | A |
ITSM | Tvj =45°C; 10 ms | 8000 | A |
Tvj =125°C; 10 ms | 6800 | A | |
I2t | Tvj =45°C; 8,3…10 ms | 320 | kA2S |
(di/dt)cr | non-repetitive | 100 | A/us |
Viso | A.C. 1s / 1min. | 3600/3000 | V |
Tj | -40 ~ + 125 | °C | |
Tstg | -40 ~ + 125 | °C | |
W | About | 150 | g |
전기적 특성
Symbol |
Condition |
Ratings |
Unit |
IDRM /IRRM |
AtVDRM, Tj=125°C |
15 |
mA |
VT |
On-State Current 200A, Tj=25°C |
1.20 |
V |
VT(TO) |
Tj=125°C |
0.80 |
V |
tgd |
Tj=25°C |
2 |
us |
tq |
Tj=100°C |
200 |
us |
IGT/VGT |
Tj=25°C |
150 / 2.0 |
mA/V |
VGD |
Tj=125°C |
0.25 |
V |
(dv/dt)cr |
Tj=125°C |
1000 |
V/us |
IH |
Tj=25°C, max. |
150 |
mA |
IL |
Tj=25°C, max. |
200 |
mA |
Rth(j-c) |
Per Module |
0.13 |
K/W |
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