YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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홈페이지> 제품 리스트> 반도체 플라스틱 패키지> BI 방향 사이리스터 (Triac)> 높은 정류 성능 600V BTA212X-600D 12A TRIAC
높은 정류 성능 600V BTA212X-600D 12A TRIAC
높은 정류 성능 600V BTA212X-600D 12A TRIAC
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$0.125000-49999 Piece/Pieces

$0.1≥50000Piece/Pieces

지불 유형:L/C,T/T,Paypal
인 코텀:FOB,CFR,CIF
수송:Ocean,Land,Air,Express,Others
포트:SHANGHAI
제품 속성

모형YZPST-BTA212X-600D

상표yzpst

원산지중국

IT(RMS)12A

VDRM600V

VRRM600V

VTM≤1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM120A

I2t78A2s

DI/dt50A/ μs

포장 및 배송
판매 단위 : Piece/Pieces
포장 종류 : 1. 안티 전자 포장 2. 상지 박스 3. 브레이드
다운로드 :
TRIAC BTA212X-600D TO220F
제품 설명

BTA212 12A 트리 악

YZPST-BTA212X-600D

설명:
큰 전류의 충격을 견딜 수있는 능력이 높기 때문에 BTA212 시리즈 트리엄은 전자기 인터페이스에 대한 강한 저항력으로 높은 DV/DT 속도를 제공합니다. 정류 성능이 높은 3 개의 사분면 제품은 특히 유도 부하에 사용하기 위해 권장됩니다. 3 개의 단자 모두에서 외부 히트 싱크까지 UL 표준을 준수하는 2500 VRM의 정격 단열 전압을 제공합니다.

YZPST-BTA212X-600D TO-220

기본 특징:

symbol

value

unit

IT(RMS)

12

A

VDRM/VRRM

600/800/1200

V

VTM

≤1.5

V

순수한 최고 등급 :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800/1200

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800/1200

V

RMS on-state current

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

120

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

78

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 tj = 25 )

3 사분면

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 5 10 40 60 mA
- 20 30 50 70
IL IG=1.2IGT MAX 25 40 60 80 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 100 200 500 1000 V/ µs

4 사분면

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 40 60 mA
--  50 70
IL IG=1.2IGT MAX 70 90 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 200 500 V/ µs

정적 특성

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=17A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
IDRM Tj=25 5 µA
IRRM VDRM= VRRM Tj= 125 MAX 1 mA

열의 저항

Symbol Test Condition Value Unit
TO-220A(Ins 2.3
TO-220B(Non-Ins 1.5
TO-220F(Ins 2.5 /W
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-263 1.5

패키지 기계 데이터

Yzpst Bta212x 600d To 220f Jpg


苏ICP备05018286号-1
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