에피 택셜 구조 5.0AMP 쇼트 키 배리어 다이오드 SBD

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모형: YZPST-SB5100

상표: YZPST

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage: 100v

Maximum RMS Voltage: 70v

Maximum DC Blocking Voltage: 100v

Maximum Average Forward Rectified Current: 5a

Maximum DC Reverse Currentent: 200ua

At Rated DC Blocking Voltage: 20ma

Storage Temperature Range TSTG: -65 +150℃

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판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 정전기 방지 포장 2. 카톤 상자 3. 브레이드

제품 설명

YZPST-SB520 THRU SB5200

에피 택셜 구조 5.0AMP 쇼트 키 배리어 다이오드 SBD

풍모
낮은 순방향 전압 강하
고전류 기능
높은 신뢰성
높은 서지 전류 기능
에피 택셜 구조
기계적 데이터
케이스 : 성형 플라스틱
에폭시 : UL 94V-0 속도 난연
리드 : 축 리드, MIL-STD-202에 따라 납땜 가능, 방법 208 보장
극성 : 컬러 밴드는 음극 끝을 나타냅니다.
장착 위치 : 모두
무게 : 1.00 그램
일반 및 무연 제품을 모두 사용할 수 있습니다.
정상 : 80 ~ 95 % Sn, 5 ~ 20 % Pb
Pb free : 99 Sn 이상은 Rohs 환경 물질 지침 요청을 충족 할 수 있습니다.

전압 범위
20 ~ 200 볼트
흐름
5.0 암페어

최대 등급 및 전기적 특성
정격 25C 주변 온도는 지정된 다른 회로를 통합합니다. 단상 반파, 60Hz, 저항성 또는 유도 성 부하.
용량 성 부하의 경우 전류를 20 % 줄입니다.

TYPE NUMBER	SB520	SB540	SB540	SB580	SB5100	SB5150	SB5200	UNITS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage	20	40	60	80	100	150	200	V
Maximum RMS Voltage	14	32	42	56	70	105	140	V
Maximum DC Blocking Voltage	20	40	60	80	100	150	200	V
Maximum Average Forward Rectified Current See Fig. 1	5.0							A
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)	150							A
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 5.0A	0.55		0.70	0.85				V
Maximum DC Reverse Current Ta=25 C at Rated DC Blocking Voltage Ta=100 C	200 20							uA mA
Typical Junction Capacitance (Note1)	380							pF
Typical Thermal Resistance RqJA (Note 2)	10							C/W
Operating Temperature Range TJ	-65 +150							C
Storage Temperature Range TSTG	-65 +150							C