높은 DV/DT 속도 600V BTA06-600BW 6A TRIAC
$0.115000-49999 Piece/Pieces
$0.09≥50000Piece/Pieces
지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Land,Others |
포트: | SHANGHAI |
$0.115000-49999 Piece/Pieces
$0.09≥50000Piece/Pieces
지불 유형: | L/C,T/T,Paypal |
인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Land,Others |
포트: | SHANGHAI |
모형: YZPST-BTA06-600BW
상표: yzpst
Place Of Origin: China
IT(RMS): 6A
VDRM: 600V
VRRM: 600V
VTM: ≤1.5V
Tstg: -40~150℃
Tj: -40~125℃
ITSM: 60A
BTA06/BTB06 SERIES 6A TRIACS
YZPST-BTA06-600BW
높은 DV/DT 속도 600V BTA06-600BW 6A TRIAC
설명:
큰 전류의 충격을 견딜 수있는 능력이 높기 때문에 BTA06/BTB06 시리즈 트리엄은 전자기 인터페이스에 대한 강한 저항력으로 높은 DV/DT 속도를 제공합니다.
정류 성능이 높은 3 개의 사분면 제품은 특히 유도 부하에 사용하기 위해 권장됩니다. 3 개의 터미널에서 외부 히트 싱크까지 BTA06은 UL 표준을 준수하는 2500 VRM의 정격 단열 전압을 제공합니다.
기본 특징:
symbol |
value |
unit |
IT(RMS) |
6 |
A |
VDRM/VRRM |
600/800 |
V |
VTM |
≤1.5 |
V |
순수한 최고 등급 :
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃) |
VDRM |
600/800 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃) |
VRRM |
600/800 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
6 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM |
60 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
18 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT) |
dI/dt |
50 |
A/ μs |
Peak gate current |
IGM |
2 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
Peak gate power |
PGM |
5 |
W |
전기 특성 (달리 명시되지 않는 한 tj = 25 ℃ )
3 사분면 :
Parameter | Value | |||||||
Test Condition | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unit | ||
IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |||
IH | IT=100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | ||||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open | ||||||||
dV/dt | MIN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/ µs |
4 사분면 :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
열의 저항
Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | |||
TO-220A(Ins) | 3.4 | |||
TO-220B(Non-Ins) | 2.2 | ℃/W | ||
Rth(j-c) | junction to case(AC) | TO-220F(Ins) | 3.2 |
패키지 기계적 데이터
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.