1200V N- 채널 실리콘 카바이드 파워 MOSFET SIC MOSFET

1200V N- 채널 실리콘 카바이드 파워 MOSFET SIC MOSFET

Name: YZPST-M2G0080120D N- 채널 전력 MOSFET
Uploaded: 2022-10-31T09:04:52+08:00
Description: 1200V N- 채널 실리콘 카바이드 파워 MOSFET

$10100-999 Piece/Pieces

$6.5≥1000Piece/Pieces

지불 유형:	L/C,T/T,Paypal
인 코텀:	FOB,CFR,CIF
수송:	Ocean,Air
포트:	SHANGHAI

지금 연락

제품 설명

제품 속성

모형: YZPST-M2G0080120D

상표: yzpst

VDSmax: 1200V

Id: 42A

Pd: 208W

VGS,op: -5/+20V

VGSmax: -10/+25V

포장 및 배송

판매 단위	:	Piece/Pieces
포장 종류	:	1. 안티 전자 포장 2. 카톤 박스 3. 플라스틱 보호 포장
다운로드	:

YZPST-M2G0080120D N- 채널 전력 MOSFET



제품 설명

M2G0080120D

1200V N- 채널 실리콘 카바이드 파워 MOSFET SIC MOSFET

특징

• 별도의 드라이버 소스 핀이있는 최적화 된 패키지

• 저항성이 낮은 높은 차단 전압

• 커패시턴스가 낮은 고속 스위칭

• 낮은 역 회복 (QRR)을 갖는 빠른 고유 다이오드

• 평행하기 쉽습니다

• ROHS 준수

이익

• 더 높은 시스템 효율성

• 냉각 요구 사항을 줄입니다

• 전력 밀도 증가

• 더 높은 주파수를 활성화합니다

• 게이트 벨소리를 최소화하십시오

• 시스템 복잡성 및 비용 절감

응용 프로그램

• 스위치 모드 전원 공급 장치

• DC/DC 변환기

• 태양열 인버터

• 배터리 충전기

• 모터 드라이브

Power MOSFET

최대 등급 (달리 명시되지 않는 한 TC = 25 ° C)

Symbol	Parameter	Value	Unit	Test Conditions	Note
f^DSmax	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	V	海=0 V, /d=100 卩A
Id	Continuous Drain Current	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Fig. 18
Pd	Power Dissipation	208	W	*=25 °C	Fig. 19
FgS,op	Recommend Gate Source Voltage	-0.25	V
J^Smax	Maximum Gate Source Voltage	-0.4	V	AC (f>lHz)	Note 1
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to	°C
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	175	°C
7l	Soldering Temperature	260	°C

전기적 특성

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	Test Conditions	Note
Static
BVds	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Zero Gate Voltage Drain Current	—	11	100		丹s=1200 V Pgs=0 V
Igss	Gate-Source Leakage	—	10	250	nA	4s=20 V
FGS(th)	Gate-Source Threshold Voltage	2	—	4	V	Id=5 mA,	Fig. 11
&DS(on)	Drain-Source On-Resistance	—	78	100	mQ	国=20 V, Zd=20 A	Fig. 6
Dynamic
Ciss	Input Capacitance	—	1128		PF	4s=0 V,比s=1000 V	Fig. 17
C^oss	Output Capacitance	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 mV
Crss	Reverse Transfer Capacitance	—	5
Eoss	Coss Stored Energy	-	44		卩J		Fig. 16
Qs	Total Gate Charge	—	52		nC	moo V	Fig. 12
figs	Gate-Source Charge	-	17			血=20 A
Qgd	Gate-Drain Charge	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Turn-on Delay Time	—	41		ns	丹 s=800 V
tr	Turn-on Rise Time	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Turn-off Delay Time	—	48			Id=20A
tf	Turn-off Fall Time	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Internal Gate Resistance	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 mV