품질 보증을 통한 최고의 무역 사이리스터
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인 코텀: | FOB,CFR,CIF |
수송: | Ocean,Air |
포트: | SHANGHAI |
모형: YZPST-N195CH16
상표: YZPST
위상 제어용 고출력 싸이 리스터
YPPST-N195CH16
최고의 사이리스터 1600V, 특징 : . 인터 디지 테이 티드 증폭 게이트 구성
. 보장 된 최대 턴 오프 시간 . 높은 dV / dt 기능 . 모든 확산 된 구조의 압력 조립 장치.
전기적 특성 및 등급
차단 - 차단 상태
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1600 |
1600 |
1700 |
V RRM = 반복 피크 역 전압
V DRM = 반복적 인 피크 오프 전압
V RSM = 반복적 인 피크 역 전압 (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
5 mA 50 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
노트:
달리 명시되지 않는 한 모든 등급은 Tj = 25 oC로 지정됩니다.
(1) 모든 전압 등급은 -40 ~ + 125 oC 의 온도 범위 에서 적용된 50Hz / 60zHz 정현파 파형에 대해 지정됩니다 .
(2) 10 msec. 최대 펄스 폭
(3) Tj = 125 oC에 대한 최대 값.
(4) 직선 및 지수 파형의 최소값 VDRM 80 %까지의 최소값. 문 열어. Tj = 125 ℃.
(5) 비 반복 값.
(6) di / dt 값은 EIA / NIMA 표준 RS-397, 5-2-2-6 절에 따라 설정됩니다. 정의 된 값은 시험중인 사이리스터와 병렬로 0.2 F 커패시터와 20 옴 저항으로 구성된 ubber 회로에서 얻은 값에 추가로 정의됩니다.
전도 - 온 상태
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
400 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
900 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
4.3 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
96x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
250 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.09 |
|
V |
ITM = 1400 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
250 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
125 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
게이팅
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
3 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
250 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
2.5 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
동적
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
2.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
- |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
150 |
ms |
ITM=300A, tp=500us, di/dt=10A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
온도 및 기계적 특성 및 등급
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-60 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-60 |
+125 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
80 174 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
5 |
7 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* 장착 표면이 매끄럽고 납작하고 윤활 처리되어 있습니다.
참고 : 케이스 개요 및 치수는이 기술 데이터의 3 페이지 케이스 외형 도면을 참조하십시오.
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