YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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공장 사이리스터 반도체 모듈 1000a 1600v
공장 사이리스터 반도체 모듈 1000a 1600v
공장 사이리스터 반도체 모듈 1000a 1600v

공장 사이리스터 반도체 모듈 1000a 1600v

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제품 속성

모형YZPST-MTC1000A1600V

상표YZPST

포장 및 배송
포장 종류 : 1. 정전기 방지 포장 2. 판지 상자 3. 플라스틱 보호 포장
제품 설명


듀얼 사이리스터 모듈

YZPST-MTC1000A1600V

공장 사이리스터 반도체 모듈 1000a 1600v

특징 질화 알루미늄 세라믹 분리 금속베이스 플레이트를 통한 열전달

고 신뢰성을위한 귀금속 압접 접점 • 증폭 게이트가있는 사이리스터

TYPE : MTC1000A - 1600V Typical Applications • DC 모터 제어 • 온도 제어 • 전문가 조도 조절

최대 등급

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

Single phase,half wave,sin 180° conduction ;TC=85°C

1000

A

ITRMS

Single phase,half wave,sin 180° conduction ;TC=85°C

1484

A

ITSM

Tj=125°C

30

kA

I2t

Tj=125°C

4300

kA2S

VDRM/VRRM

Tj=125°C

1600/1600

V

di/dt

non-repetitive

100

A/us

Viso

A.C.1minute

2500

V

Tj

-40  ~  + 125

°C

Tstg

-40  ~  + 125

°C

W

About

3.6

Kg

전기적 특성

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM,Single phase,half wave,Tj=125°C

100

mA

VTM

On-State Current 3000A,Tj=125°C

1.55

V

VT(TO)

Tj=125°C

0.8

V

rT

Tj=125°C

0.09

RK1G1

-

Ω

RK2G2

-

Ω

tgd

Tj=25°C;VD=0.4VDRM ; ITM=ITAV

-

us

tq

dvD/dt=50V/us;Tj=125°C; ITM=ITAV

-

us

IGT/VGT

Tj=25°C,IT=1A,VD=6V

200 / 3.0

mA/V

VGD

VD=67%VDRM

0.2

V

DV/DT

VD=67%VDRM

800

V/us

IH

Tj=25°C

300

mA

IL

Tj=25°C

800

mA

Rth(j-c)

Thermal resistance Junction to case

0.31

°C/kW

Rth(c-h)

Thermal resistance case to heatsink

0.20

°C/kW


Dual Thyristor Modules YZPST-MTC1000A1600V


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