FR1000AX50 고속 스위칭 역전도 사이리스터 RCT

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모형: YZPST-FR1000AX50

상표: YZPST

私域 FR1000AX50 截取视频 15m 秒 1-4.25m.

私域 FR1000AX50 截取视频 15 秒 2-3.6m.

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제품 설명

FR1000AX50 고속 스위칭 역전 사이리스터

인버터 및 초퍼 애플리케이션 용 RCT

2500 V DRM; 1550 년 rms

YZPST-FR1000AX50

풍모:

. 모든 확산 구조

. 디지털화 된 증폭 게이트 구성

. 최대 2500V의 차단 기능

. 최대 끄기 시간 보장

. 높은 dV / dt 기능

. 압력 조립 장치

전기 특성 및 등급

차단-꺼짐 상태

Device Type	VDRM (1)	VDSM (1)
FR1000AX50	2500	2500

VDRM = 반복적 인 피크 오프 상태 전압

Repetitive peak off state leakage

I_DRM

20 mA

80mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

700 V/msec

노트:

모든 등급은 Tj = 25 ^o C에 대해 지정 됩니다

달리 언급했다.

(1) 모든 정격 전압은 적용

50Hz / 60zHz 정현파

온도 범위 -40 ~ + 125 ^O C.

(2) 10msec 최대 펄스 폭

(3) TJ 최대 값 125 = ^O C.

(4) 선형 및 지수의 최소값

웨이브 쉐이프를 80 % 정격 V _DRM . 문 열림

C. ^O TJ = 125

(5) 비 반복 가치.

실시 중-상태

Parameter	Symbol	Max.	Typ.	Units	Conditions
RMS value of on-state current	I_TRMS	1550		A	Nominal value
Average on-state current	I_T(AV)	1000		A	Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction
Peak one cycle surge (non repetitive) current	I_TSM	14000		A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t	8.2.x10⁵		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
RNS reverse currrnt	I_R(RMS)	630		A
Average reverse current	I_R(AV)	400		A	Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction
Peak on-state voltage	V_TM	2.2		V	I_TM=1000A T_j = 125 ^oC
Peak reverse voltage	V_RM	4.0		V	I_RM=1200A, T_j = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current	di/dt	300		A/ms	V_D=1/2V_DRM,I_TM=800A f=60H_ZI_GM=1.5A,di_G/dt=1.0A/us,Tj=125℃
Critical rate of decrease of reverse conmmutating current	(di/dt)_C	200		A/ms	I_TM=4000A,tw=60us,I_RM=4000A,dv/dt=700V/us,V_DM=1/2V_DRN,Tj=125℃,Saturable reactor7500v.us

게이팅

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		8		W
Peak gate current	I_GM		10		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		350		mA	V_D = 6 V;R_L = 2 ohms;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		4		V	V_D = 6 V;R_L = 2 ohms;T_j = 25^oC
Peak non- trigger voltage	V_GD		0.2		V	T_j = 125 ^oC;V_D=1/2V_DRM

동적

Parameter

Symbol

Max.

Typ.

Units

Conditions

Turn-off time

t_q

I_TM =4000 A; di₁/dt = -200A/ms;

di₂/dt=50A/us,I_RM=500A; dV/dt =700 V/ms V_DR=1250V

T_j = 125 ^oC;tw=60us

열 및 기계적 특성 및 등급

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thyristor part thermal resistance - junction to fin	R_Q_Ⅰ_(j-f)		0.022		^oC/W	Double sided cooled
Diode part thermal resistamce – junction to fin	R_Q_Ⅲ_(j-f)		0.070		^oC/W	Double sided cooled
Mounting force	P		45		kN
Weight	W		670		g